2023-04-06
A MOCVD, más néven Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) vékony félvezető filmek szubsztrátumon történő növesztésére szolgáló technika. A MOCVD-vel sok nanoréteg nagy pontossággal leválasztható, mindegyik szabályozott vastagsággal, hogy meghatározott optikai és elektromos tulajdonságokkal rendelkező anyagokat képezzenek.
A MOCVD-rendszer a kémiai gőzleválasztási (CVD) rendszer, amely fém szerves prekurzorokat használ vékony anyagrétegek hordozóra történő lerakódására. A rendszer egy reaktortartályból, egy gázszállító rendszerből, egy szubsztráttartóból és egy hőmérséklet-szabályozó rendszerből áll. A fém szerves prekurzorokat vivőgázzal együtt bevezetik a reaktortartályba, és a hőmérsékletet gondosan szabályozzák, hogy biztosítsák a kiváló minőségű vékony film kialakulását.
A MOCVD alkalmazása számos előnnyel rendelkezik más leválasztási technikákkal szemben. Egyik előnye, hogy lehetővé teszi összetett anyagok felhordását a vékonyrétegek vastagságának és összetételének pontos szabályozásával. Ez különösen fontos a nagy teljesítményű félvezető eszközök gyártásánál, ahol a vékony filmek anyagtulajdonságai jelentősen befolyásolhatják az eszköz teljesítményét.
A MOCVD másik előnye, hogy vékony filmrétegek felvitelére használható különféle hordozókra, beleértve a szilíciumot, zafírt és gallium-arzenidet. Ez a rugalmasság elengedhetetlen folyamattá teszi a félvezető eszközök széles skálájának gyártásában, a számítógépes chipektől a LED-ekig.
A MOCVD-rendszereket széles körben használják a félvezetőiparban, és számos fejlett technológia kifejlesztésében szerepet játszottak. A MOCVD-t például nagy hatékonyságú LED-ek gyártására használták világítási és kijelző alkalmazásokhoz, valamint nagy teljesítményű napelemeket fotovoltaikus alkalmazásokhoz.