Kína SiC szubsztrát Gyártók, beszállítók, gyár

A félvezető anyag egy vékony szeletét ostyának nevezik, amely nagyon tiszta egykristály anyagból áll. A Czochralski-eljárás során egy nagy tisztaságú monokristályos félvezető hengeres tömbjét úgy készítik, hogy egy olvadékból magkristályt húznak ki.

A szilícium-karbid (SiC) és politípusai régóta az emberi civilizáció részét képezik; ennek a kemény és stabil vegyületnek a műszaki érdeklődését 1885-ben és 1892-ben a Cowless és az Acheson felismerte köszörülési és vágási célokra, ami nagyüzemi gyártáshoz vezetett.

Kiváló fizikai és kémiai tulajdonságai miatt a szilícium-karbid (SiC) kiemelkedő jelölt a különféle alkalmazásokhoz, beleértve a magas hőmérsékletű, nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás és optoelektronikai eszközöket, a fúziós reaktorok szerkezeti elemét, a gázhűtéses burkolóanyagot. hasadási reaktorok, valamint egy inert mátrix a Pu transzmutációjához. A SiC különböző politípusait, például a 3C-t, a 6H-t és a 4H-t széles körben használják. Az ionimplantáció kritikus technika az adalékanyagok szelektív bevezetésére Si-alapú eszközök gyártásához, p- és n-típusú SiC lapkák előállításához.

Az öntvénymajd szeletelve szilícium-karbid SiC lapkákat készítenek.

Szilícium-karbid anyagtulajdonságok

Politípus	Single-Crystal 4H
Kristály szerkezet	Hatszögletű
Bandgap	3,23 eV
Hővezetőképesség (n-típusú; 0,020 ohm-cm)	a~4,2 W/cm • K @ 298 K c~3,7 W/cm • K @ 298 K
Hővezetőképesség (HPSI)	a~4,9 W/cm • K @ 298 K c~3,9 W/cm • K @ 298 K
Rács paraméterei	a=3,076 Å c=10,053 Å
Mohs keménység	~9.2
Sűrűség	3,21 g/cm³
Therm. Expanziós együttható	4-5 x 10^-6/K

Különböző típusú SiC lapkák

Három típusa van:n-típusú sic ostya, p-típusú sic ostyaésnagy tisztaságú félszigetelő sic ostya. A dopping olyan ionbeültetést jelent, amely szennyeződéseket juttat a szilíciumkristályba. Ezek az adalékanyagok lehetővé teszik a kristály atomjai számára, hogy ionos kötéseket hozzanak létre, így az egykor belső kristály külsőlegessé válik. Ez a folyamat kétféle szennyeződést vezet be; N-típusú és P-típusú. A „típus” a kémiai reakció létrehozásához használt anyagoktól függ. Az N-típusú és a P-típusú SiC lapka közötti különbség az adalékolás során a kémiai reakció létrehozásához használt elsődleges anyag. A felhasznált anyagtól függően a külső pályán öt vagy három elektron lesz, amelyekből egy negatív töltésű (N-típus) és egy pozitív töltésű (P-típusú).

Az N-típusú SiC lapkákat főként új energetikai járművekben, nagyfeszültségű erőátvitelben és alállomásokban, háztartási cikkekben, nagy sebességű vonatokban, motorokban, fotovoltaikus inverterekben, impulzusos tápegységekben stb. használják. Előnyük, hogy csökkentik a berendezések energiaveszteségét, javítják a berendezések megbízhatósága, a berendezés méretének csökkentése és a berendezések teljesítményének javítása, valamint pótolhatatlan előnyökkel jár az erősáramú elektronikai eszközök gyártásában.

A nagy tisztaságú félszigetelő SiC ostyát főként nagy teljesítményű RF eszközök hordozójaként használják.

Epitaxia – III-V Nitridlerakódás

SiC, GaN, AlxGa1-xN és InyGa1-yN epitaxiális rétegek SiC hordozón vagy zafír hordozón.

View as

8 hüvelykes P-típusú SIC ostya

A Semicorex 8 hüvelykes P-típusú ostyák kiemelkedő teljesítményt nyújtanak a következő generációs teljesítményhez, RF és magas hőmérsékleten. Válassza a Semicorex lehetőséget a kiváló kristályos minőséghez, az iparágban vezető egységességhez és a fejlett SIC anyagok megbízható szakértelméhez.*

Olvass tovább Kérdés küldése

12 hüvelykes félig szeszélyes SIC szubsztrátok

A Semicorex 12 hüvelykes, félig inszuláló SIC szubsztrátok a következő generációs anyagok, amelyek nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű és nagy megbízható félvezető alkalmazásokhoz készültek. A Semicorex kiválasztása azt jelenti, hogy a SIC innováció megbízható vezetőjével való partnerséggel jár, és elkötelezett amellett, hogy kivételes minőségi, precíziós tervezés és testreszabott megoldások biztosítsa a legfejlettebb eszköztechnológiáinak felhatalmazását.*

Olvass tovább Kérdés küldése

N-típusú SIC szubsztrátok

A Semicorex N-típusú SIC szubsztrátok továbbra is a félvezető iparágot a magasabb teljesítmény és az alacsonyabb energiafogyasztás felé vezetik, mint a hatékony energiaátalakítás alapanyagát. A Semicorex termékeket a technológiai innováció vezérli, és elkötelezettek vagyunk az ügyfelek számára megbízható anyagi megoldásokkal és a partnerekkel való együttműködés mellett a zöld energia új korszakának meghatározása érdekében.*

Olvass tovább Kérdés küldése

SiC Dummy Wafer

A Semicorex SiC Dummy Wafer egy speciális eszköz a félvezetőgyártáshoz, amelyet elsősorban kísérleti és tesztelési célokra terveztek.**

Olvass tovább Kérdés küldése

3C-SiC ostya szubsztrát

A Semicorex 3C-SiC ostya szubsztrátum köbös kristályos SiC-ből készül. Évek óta gyártunk és szállítunk félvezető lapkákat. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

8 hüvelykes N-típusú SiC ostya

A Semicorex különféle típusú 4H és 6H SiC lapkákat kínál. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. 8 hüvelykes N-típusú SiC ostyánk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

<1 2 3 >

A Semicorex sok éve gyárt SiC szubsztrát terméket, és az egyik professzionális SiC szubsztrát gyártó és beszállító Kínában. Miután megvásárolta fejlett és tartós termékeinket, amelyek tömeges csomagolást biztosítanak, garantáljuk a nagy mennyiség gyors szállítását. Az évek során személyre szabott szolgáltatást nyújtottunk ügyfeleinknek. Vásárlóink elégedettek termékeinkkel és kiváló szolgáltatásainkkal. Őszintén várjuk, hogy megbízható, hosszú távú üzleti partnere lehessünk! Üdvözöljük, hogy vásároljon termékeket gyárunkból.