Kína SiC ostya Gyártók, beszállítók, gyár

A félvezető anyag egy vékony szeletét ostyának nevezik, amely nagyon tiszta egykristály anyagból áll. A Czochralski-eljárás során egy nagy tisztaságú monokristályos félvezető hengeres tömbjét úgy készítik, hogy egy olvadékból egy magkristályt húznak ki.

A szilícium-karbid (SiC) és politípusai régóta az emberi civilizáció részét képezik; ennek a kemény és stabil keveréknek a műszaki érdeklődését 1885-ben és 1892-ben a Cowless és az Acheson felismerte köszörülési és vágási célokra, ami nagyüzemi gyártáshoz vezetett.

Kiváló fizikai és kémiai tulajdonságai miatt a szilícium-karbid (SiC) kiemelkedő jelölt a különféle alkalmazásokhoz, beleértve a magas hőmérsékletű, nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás és optoelektronikai eszközöket, a fúziós reaktorok szerkezeti elemét, a gázhűtéses burkolóanyagot. hasadási reaktorok, valamint egy inert mátrix a Pu transzmutációjához. A SiC különböző politípusait, például a 3C-t, a 6H-t és a 4H-t széles körben használják. Az ionimplantáció kritikus technika az adalékanyagok szelektív bevezetésére Si-alapú eszközök gyártásához, p- és n-típusú SiC lapkák előállításához.

Az öntvényezután szeletelve szilícium-karbid SiC lapkákat készítenek.

Szilícium-karbid anyagtulajdonságok

Különböző típusú SiC lapkák

Három típusa van:n-típusú sic ostya, p-típusú sic ostyaésnagy tisztaságú félszigetelő sic ostya. A dopping olyan ionbeültetést jelent, amely szennyeződéseket juttat a szilíciumkristályba. Ezek az adalékanyagok lehetővé teszik, hogy a kristály atomjai ionos kötéseket hozzanak létre, így az egykor belső kristályt külsődlegessé teszik. Ez az eljárás kétféle szennyeződést vezet be; N-típusú és P-típusú. A „típus” a kémiai reakció létrehozásához használt anyagoktól függ. Az N-típusú és a P-típusú SiC lapka közötti különbség az adalékolás során a kémiai reakció létrehozásához használt elsődleges anyag. A felhasznált anyagtól függően a külső pályán öt vagy három elektron lesz, amelyekből egy negatív töltésű (N-típus) és egy pozitív töltésű (P-típusú) lesz.

Az N-típusú SiC lapkákat főként új energetikai járművekben, nagyfeszültségű erőátvitelben és alállomásokban, háztartási cikkekben, nagy sebességű vonatokban, motorokban, fotovoltaikus inverterekben, impulzusos tápegységekben stb. használják. Előnyük, hogy csökkentik a berendezések energiaveszteségét, javítják a berendezések megbízhatósága, a berendezések méretének csökkentése és a berendezések teljesítményének javítása, valamint pótolhatatlan előnyökkel jár az erősáramú elektronikai eszközök gyártásában.

A nagy tisztaságú félszigetelő SiC ostyát főként nagy teljesítményű RF eszközök hordozójaként használják.

Epitaxia – III-V Nitridlerakódás

SiC, GaN, AlxGa1-xN és InyGa1-yN epitaxiális rétegek SiC hordozón vagy zafír hordozón.