itthon > Termékek > Ostya > SiC ostya

Kína SiC ostya Gyártók, beszállítók, gyár

A félvezető anyag egy vékony szeletét ostyának nevezik, amely nagyon tiszta egykristály anyagból áll. A Czochralski-eljárás során egy nagy tisztaságú monokristályos félvezető hengeres tömbjét úgy készítik, hogy egy olvadékból egy magkristályt húznak ki.


A szilícium-karbid (SiC) és politípusai régóta az emberi civilizáció részét képezik; ennek a kemény és stabil keveréknek a műszaki érdeklődését 1885-ben és 1892-ben a Cowless és az Acheson felismerte köszörülési és vágási célokra, ami nagyüzemi gyártáshoz vezetett.


Kiváló fizikai és kémiai tulajdonságai miatt a szilícium-karbid (SiC) kiemelkedő jelölt a különféle alkalmazásokhoz, beleértve a magas hőmérsékletű, nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás és optoelektronikai eszközöket, a fúziós reaktorok szerkezeti elemét, a gázhűtéses burkolóanyagot. hasadási reaktorok, valamint egy inert mátrix a Pu transzmutációjához. A SiC különböző politípusait, például a 3C-t, a 6H-t és a 4H-t széles körben használják. Az ionimplantáció kritikus technika az adalékanyagok szelektív bevezetésére Si-alapú eszközök gyártásához, p- és n-típusú SiC lapkák előállításához.


Az öntvényezután szeletelve szilícium-karbid SiC lapkákat készítenek.


Szilícium-karbid anyagtulajdonságok

Politípus

Single-Crystal 4H

Kristályos szerkezet

Hatszögletű

Bandgap

3,23 eV

Hővezetőképesség (n-típusú; 0,020 ohm-cm)

a~4,2 W/cm – K @ 298 K

c~3,7 W/cm – K @ 298 K

Hővezetőképesség (HPSI)

a~4,9 W/cm – K @ 298 K

c~3,9 W/cm – K @ 298 K

Rács paraméterei

a=3,076 Å

c=10,053 Å

Mohs keménység

~9.2

Sűrűség

3,21 g/cm3

Therm. Expanziós együttható

4-5 x 10-6/K


Különböző típusú SiC lapkák

Három típusa van:n-típusú sic ostya, p-típusú sic ostyaésnagy tisztaságú félszigetelő sic ostya. A dopping olyan ionbeültetést jelent, amely szennyeződéseket juttat a szilíciumkristályba. Ezek az adalékanyagok lehetővé teszik, hogy a kristály atomjai ionos kötéseket hozzanak létre, így az egykor belső kristályt külsődlegessé teszik. Ez az eljárás kétféle szennyeződést vezet be; N-típusú és P-típusú. A „típus” a kémiai reakció létrehozásához használt anyagoktól függ. Az N-típusú és a P-típusú SiC lapka közötti különbség az adalékolás során a kémiai reakció létrehozásához használt elsődleges anyag. A felhasznált anyagtól függően a külső pályán öt vagy három elektron lesz, amelyekből egy negatív töltésű (N-típus) és egy pozitív töltésű (P-típusú) lesz.


Az N-típusú SiC lapkákat főként új energetikai járművekben, nagyfeszültségű erőátvitelben és alállomásokban, háztartási cikkekben, nagy sebességű vonatokban, motorokban, fotovoltaikus inverterekben, impulzusos tápegységekben stb. használják. Előnyük, hogy csökkentik a berendezések energiaveszteségét, javítják a berendezések megbízhatósága, a berendezések méretének csökkentése és a berendezések teljesítményének javítása, valamint pótolhatatlan előnyökkel jár az erősáramú elektronikai eszközök gyártásában.


A nagy tisztaságú félszigetelő SiC ostyát főként nagy teljesítményű RF eszközök hordozójaként használják.


Epitaxia – III-V Nitridlerakódás

SiC, GaN, AlxGa1-xN és InyGa1-yN epitaxiális rétegek SiC hordozón vagy zafír hordozón.






View as  
 
3C-SiC ostya szubsztrát

3C-SiC ostya szubsztrát

A Semicorex 3C-SiC ostya szubsztrátum köbös kristályos SiC-ből készül. Évek óta gyártunk és szállítunk félvezető lapkákat. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass továbbKérdés küldése
8 hüvelykes N-típusú SiC ostya

8 hüvelykes N-típusú SiC ostya

A Semicorex különféle típusú 4H és 6H SiC lapkákat kínál. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. 8 hüvelykes N-típusú SiC ostyánk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass továbbKérdés küldése
4

4" 6" 8" N-típusú SiC öntvény

A Semicorex 4 hüvelykes, 6 hüvelykes és 8 hüvelykes N-típusú SiC ingot kínál. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. 4" 6" 8" N-típusú SiC öntvényünk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass továbbKérdés küldése
4

4" 6" nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvény

A Semicorex nagy tisztaságú félszigetelő SiC tömböt kínál 4 hüvelykkel és 6 hüvelykkel. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. A 4" 6" nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvényünk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass továbbKérdés küldése
P-típusú SiC szubsztrát szelet

P-típusú SiC szubsztrát szelet

A Semicorex különféle típusú 4H és 6H SiC lapkákat kínál. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. A P-típusú SiC szubsztrát ostyánk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass továbbKérdés küldése
6 hüvelykes N-típusú SiC ostya

6 hüvelykes N-típusú SiC ostya

A Semicorex különféle típusú 4H és 6H SiC lapkákat kínál. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. Duplán polírozott 6 hüvelykes N-típusú SiC ostyánk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass továbbKérdés küldése
A Semicorex sok éve gyárt SiC ostya terméket, és az egyik professzionális SiC ostya gyártó és beszállító Kínában. Miután megvásárolta fejlett és tartós termékeinket, amelyek tömeges csomagolást biztosítanak, garantáljuk a nagy mennyiség gyors szállítását. Az évek során személyre szabott szolgáltatást nyújtottunk ügyfeleinknek. Vásárlóink ​​elégedettek termékeinkkel és kiváló szolgáltatásainkkal. Őszintén várjuk, hogy megbízható, hosszú távú üzleti partnere lehessünk! Üdvözöljük, hogy vásároljon termékeket gyárunkból.