A szilícium-karbid (SiC) epitaxia kulcsfontosságú technológia a félvezetők területén, különösen a nagy teljesítményű elektronikus eszközök fejlesztésében. A SiC egy összetett félvezető széles sávszélességgel, így ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek magas hőmérsékletű és nagyfeszültségű működést i......
Olvass továbbAz epitaxiális ostyaeljárás kritikus technika a félvezetőgyártásban. Ez magában foglalja egy vékony kristályanyagréteg növekedését a hordozó tetején, amelynek kristályszerkezete és orientációja megegyezik a hordozóéval. Ez az eljárás kiváló minőségű interfészt hoz létre a két anyag között, amely leh......
Olvass továbbAz epitaxiális ostyákat évtizedek óta használják az elektronikai iparban, de jelentősége csak nőtt a technológia fejlődésével. Ebben a cikkben megvizsgáljuk, mik azok az epitaxiális lapkák, és miért olyan lényeges alkotóelemei a modern elektronikának.
Olvass továbbA félvezetők olyan anyagok, amelyek az elektromos tulajdonságokat irányítják a vezetők és a szigetelők között, az atommag legkülső rétegében az elektronok elvesztésének és erősödésének egyenlő valószínűségével, és könnyen PN átmenetekké alakíthatók. Mint például a "szilícium (Si)", "germánium (Ge)" ......
Olvass tovább