Az AlN kristálynövekedés módszerei

Az AlN, mint harmadik generációs félvezető anyag, nemcsak fontos kék fény és ultraibolya fény anyag, hanem fontos csomagoló-, dielektromos szigetelő- és szigetelőanyag is az elektronikai eszközök és integrált áramkörök számára, különösen alkalmas magas hőmérsékletű és nagy teljesítményű eszközökhöz. . Ezenkívül az AlN és a GaN jó termikus illeszkedéssel és kémiai kompatibilitással rendelkezik, a GaN epitaxiális szubsztrátként használt AlN jelentősen csökkentheti a GaN eszközök hibasűrűségét, javítja az eszköz teljesítményét.

A jó minőségű, nagyméretű AlN kristályok előállítása a vonzó alkalmazási lehetőségek miatt nagy figyelmet kapott a hazai és külföldi kutatók részéről. Jelenleg az AlN kristályokat oldatos módszerrel, alumínium fém közvetlen nitridálásával, hidrid gázfázisú epitaxiával és fizikai gőzfázisú transzporttal (PVT) állítják elő. Közülük a PVT módszer az AlN kristályok termesztésének főáramú technológiájává vált magas növekedési sebességével (akár 500-1000 μm/h) és kiváló kristályminőségével (103 cm-2 alatti diszlokációs sűrűség).

Az AlN kristályok növekedése a PVT módszerrel szublimációval, gázfázisú transzporttal és az AlN por átkristályosításával történik, és a növekedési környezet hőmérséklete eléri a 2 300 ℃-ot. Az AlN kristályok PVT módszerrel történő termesztésének alapelve viszonylag egyszerű, amint azt a következő egyenlet mutatja:

2AlN(s) ⥫⥬ 2Al(g) ＋N2(g)

A növekedési folyamat fő lépései a következők: (1) AlN nyers por szublimációja; (2) a nyersanyag gázfázisú összetevőinek szállítása; (3) gázfázisú komponensek adszorpciója a növekedési felületen; (4) felületi diffúzió és nukleáció; és (5) deszorpciós folyamat [10]. Normál atmoszférikus nyomáson az AlN kristályai csak körülbelül 1700 ℃-on kezdenek lassan Al-gőzre és nitrogénre bomlani, és az AlN bomlási reakciója gyorsan felerősödik, amikor a hőmérséklet eléri a 2200 ℃-ot.

A TaC anyag az igazi AlN kristálynövekedési tégely használatban lévő anyaga, kiváló fizikai és kémiai tulajdonságokkal, kiváló hő- és elektromos vezetőképességgel, kémiai korrózióállósággal és jó hősokkállósággal, amely hatékonyan javíthatja a gyártás hatékonyságát és élettartamát.

A Semicorex kiváló minőséget kínálTaC bevonat termékekszemélyre szabott szolgáltatással. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com