Ismerve GaN-t

Az utóbbi időben a félvezetőipar továbbra is egyre nagyobb figyelmet szentelgallium-nitrid (GaN)technológia. Kiváló elektronikai tulajdonságainak köszönhetően a gallium-nitrid eszközök számos high-tech területen fontos alkalmazási területet jelentenek:

1. Optoelektronikai mező:gallium-nitridkulcsfontosságú anyag az optoelektronikai eszközök, például a LED-es világítás és a lézerek gyártásához.

2. Rádiófrekvenciás mező: Az 5G kommunikációs technológiábangallium-nitrida nagyfrekvenciás és nagy teljesítménysűrűség jellemzői miatt központi elemévé vált.

3. Erőteljesítmény-elektronika:gallium-nitridAz erősáramú eszközök javítják a töltés hatékonyságát és csökkentik a töltő méretét a gyorstöltési technológiában. Széles körben használják a fotovoltaikában, adatközpontokban, elektromos járművekben és más területeken is.

Az aljzat kiválasztása aGaNaz eszköz jelentős hatással van a teljesítményére és a költségére:

1. Zafír: kiforrott gyártási folyamatának köszönhetően a zafír hordozó költséghatékony megoldást jelent, különösen a LED-es világítás területén.

2. Szilícium-karbid (SiC): Bár drágábbak, a SiC hordozók kiváló hővezető képességet biztosítanak, és alkalmasak nagy teljesítményű és rádiófrekvenciás alkalmazásokhoz.

3. Szilícium (Si): A szilícium alapú hordozók olcsóak és kompatibilisek a meglévő félvezető gyártási folyamatokkal, így tömeggyártásra is alkalmasak.

4. Homogén gallium-nitrid (GaN-on-GaN): Elméletileg ez a legideálisabb választás, de technikai és költségkényszer miatt még nem került széles körben kereskedelmi forgalomba.