Vékonyréteg-növekedési folyamat

A közönséges vékony filmeket főként három kategóriába sorolják: félvezető vékony filmek, dielektromos vékonyrétegek és fém/fém keverék vékonyrétegek.

Félvezető vékony filmek: elsősorban a forrás/lefolyó csatorna régiójának előkészítésére szolgálnak,egykristály epitaxiális rétegés MOS kapu stb.

Dielektromos vékony filmek: elsősorban sekély árokszigeteléshez, kapu-oxid réteghez, oldalfalhoz, záróréteghez, fémréteg elülső dielektromos réteghez, hátsó fémréteg dielektromos réteghez, maratási stop réteghez, záróréteghez, tükröződésgátló réteghez, passzivációs réteghez, stb., és kemény maszkhoz is használható.

Fém- és fémkeverék vékonyrétegek: a fém vékonyrétegeket főként fémkapuk, fémrétegek és betétek, a fémkeverék vékonyrétegek pedig elsősorban zárórétegek, keménymaszkok stb.

Vékonyréteg-leválasztási módszerek

A vékonyrétegek leválasztása különböző technikai elveket igényel, és a különböző leválasztási módszereknek, mint például a fizika és a kémia, ki kell egészíteniük egymást. A vékonyréteg-leválasztási folyamatokat alapvetően két kategóriába sorolják: fizikai és kémiai.

A fizikai módszerek közé tartozik a hőpárologtatás és a porlasztás. A termikus párolgás az atomoknak a forrásanyagból az ostya szubsztrátum anyagának felületére történő anyagátvitelét jelenti a párolgási forrás melegítésével annak elpárologtatása érdekében. Ez a módszer gyors, de a fóliának rossz a tapadása és gyenge a lépéstulajdonságai. A porlasztás célja a gáz (argongáz) nyomás alá helyezése és ionizálása, hogy plazmává váljon, bombázza a célanyagot, hogy atomjai leesjenek, és a szubsztrát felületére repüljenek az átvitel érdekében. A porlasztás erős tapadású, jó lépéstulajdonságokkal és jó sűrűséggel rendelkezik.

A kémiai módszer szerint a vékony filmet alkotó elemeket tartalmazó gáznemű reagenst különböző parciális gázáramlási nyomásokkal vezetik be a folyamatkamrába, a hordozó felületén kémiai reakció megy végbe, és vékony filmréteg rakódik le a hordozó felületén.

Fizikai módszerekkel főként fémhuzalokat és fémkeverék-fóliákat vonnak le, míg az általános fizikai módszerekkel nem lehet elérni a szigetelőanyagok átvitelét. Kémiai módszerekre van szükség a különböző gázok közötti reakciókon keresztül történő lerakódáshoz. Ezen túlmenően egyes kémiai módszerek is alkalmazhatók fémfóliák lerakására.

Az ALD/Atomic Layer Deposition az atomok rétegenkénti lerakódását jelenti a szubsztrátum anyagára egyetlen atomi film rétegenkénti növesztésével, ami szintén kémiai módszer. Jó lépésfedettséggel, egyenletességgel és konzisztenciával rendelkezik, és jobban tudja szabályozni a film vastagságát, összetételét és szerkezetét.

A Semicorex kiváló minőséget kínálSiC/TaC bevonatú grafit alkatrészekepitaxiális réteg növekedéséhez. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com