Az Infineon bemutatja a világ első 300 mm-es teljesítményű GaN szeletét

A közelmúltban az Infineon Technologies bejelentette a világ első 300 mm-es teljesítményű gallium-nitrid (GaN) lapkatechnológiájának sikeres fejlesztését. Ezzel ők az első olyan vállalat, amely elsajátította ezt az úttörő technológiát, és tömeggyártást valósít meg a meglévő nagyméretű, nagy kapacitású gyártási környezetben. Ez az innováció jelentős előrelépést jelent a GaN-alapú teljesítmény-félvezetők piacán.

Miben hasonlít a 300 mm-es technológia a 200 mm-es technológiához?

A 200 mm-es technológiához képest a 300 mm-es ostyák alkalmazása ostyánként 2,3-szor több GaN chip előállítását teszi lehetővé, jelentősen növelve a gyártás hatékonyságát és teljesítményét. Ez az áttörés nemcsak megszilárdítja az Infineon vezető szerepét az energiarendszerek területén, hanem felgyorsítja a GaN technológia gyors fejlődését is.

Mit szólt ehhez az eredményhez az Infineon vezérigazgatója?

Az Infineon Technologies vezérigazgatója, Jochen Hanebeck kijelentette: „Ez a figyelemre méltó eredmény bizonyítja erős innovációs erőnket, és bizonyítja globális csapatunk könyörtelen erőfeszítéseit. Szilárd meggyőződésünk, hogy ez a technológiai áttörés átformálja az iparági normákat, és felszabadítja a GaN technológia teljes potenciálját. Közel egy évvel a GaN Systems felvásárlása után ismét megmutatjuk eltökéltségünket, hogy vezető szerepet töltsünk be a gyorsan növekvő GaN piacon. Az energiaellátó rendszerek piacvezetőjeként az Infineon versenyelőnyre tett szert három kulcsfontosságú anyag tekintetében: szilícium, szilícium-karbid és GaN.

Az Infineon vezérigazgatója, Jochen Hanebeck birtokolja a világ egyik első 300 mm-es GaN Power lapkáját, amelyet meglévő és méretezhető, nagy volumenű gyártási környezetben gyártottak

Miért előnyös a 300 mm-es GaN technológia?

A 300 mm-es GaN technológia egyik jelentős előnye, hogy a meglévő 300 mm-es szilíciumgyártó berendezésekkel is előállítható, mivel a GaN és a szilícium hasonlóságot mutat a gyártási folyamatokban. Ez a funkció lehetővé teszi az Infineon számára, hogy zökkenőmentesen integrálja a GaN technológiát jelenlegi termelési rendszereibe, ezáltal felgyorsítva a technológia átvételét és alkalmazását.

Hol gyártott sikeresen az Infineon a 300 mm-es GaN ostyákat?

Jelenleg az Infineon sikeresen gyártott 300 mm-es GaN lapkákat a meglévő 300 mm-es szilícium gyártósorokon az ausztriai villachi erőművében. A 200 mm-es GaN technológia és a 300 mm-es szilíciumgyártás megalapozott alapjaira építve a cég tovább bővítette technológiai és gyártási képességeit.

Mit jelent ez az áttörés a jövőre nézve?

Ez az áttörés nemcsak az Infineon innovációs és nagyszabású gyártási képességeinek erősségeit emeli ki, hanem szilárd alapot is lefektet az erőmű-félvezetőipar jövőbeli fejlődéséhez. Ahogy a GaN technológia folyamatosan fejlődik, az Infineon továbbra is a piac növekedésének hajtóereje lesz, tovább erősítve vezető pozícióját a globális félvezetőiparban.**