Szilícium lapkák felületi polírozása

Szilícium ostyaA felület polírozása döntő fontosságú folyamat a félvezetőgyártásban. Elsődleges célja a rendkívül magas felületi síkosság és érdesség elérése a mikrohibák, feszültségi sérülésrétegek és a szennyeződésektől, például fémionoktól származó szennyeződések eltávolításával. Ez biztosítja, hogy aszilícium ostyákmegfelelnek a mikroelektronikai eszközökre vonatkozó előkészítési követelményeknek, beleértve az integrált áramköröket (IC).

A polírozás pontosságának garantálása érdekében aszilícium ostyaA polírozási folyamat két, három vagy akár négy különálló lépésre szervezhető. Mindegyik lépés különböző feldolgozási feltételeket alkalmaz, beleértve a nyomást, a polírozó folyadék összetételét, a részecskeméretet, a koncentrációt, a pH-értéket, a polírozó kendő anyagát, a szerkezetet, a keménységet, a hőmérsékletet és a feldolgozási térfogatot.

Az általános szakaszaiszilícium ostyaa polírozás a következő:

1. **Durva polírozás**: Ennek a szakasznak az a célja, hogy eltávolítsa az előzetes feldolgozás során a felületen maradt mechanikai igénybevételt okozó károsító réteget, ezzel elérve a kívánt geometriai méretpontosságot. A durva polírozás feldolgozási térfogata általában meghaladja a 15-20 μm-t.

2. **Finom polírozás**: Ebben a szakaszban a szilícium lapka felületének helyi síksága és érdessége tovább minimalizálódik a kiváló felületminőség biztosítása érdekében. A finompolírozás feldolgozási térfogata körülbelül 5-8 μm.

3. **"Paramentesítés" Finompolírozás**: Ez a lépés az apró felületi hibák kiküszöbölésére és az ostya nanomorfológiai jellemzőinek javítására összpontosít. A folyamat során eltávolított anyag mennyisége körülbelül 1 μm.

4. **Végső polírozás**: Rendkívül szigorú vonalszélesség-követelményekkel (például 0,13 μm-nél vagy 28 nm-nél kisebb chipek) végzett IC chip-eljárások esetén a finom polírozás és a "páramentesítő" finompolírozás után elengedhetetlen az utolsó polírozási lépés. Ez biztosítja, hogy a szilícium lapka kivételes megmunkálási pontosságot és nanoméretű felületi jellemzőket érjen el.

Fontos megjegyezni, hogy a kémiai mechanikai polírozás (CMP) aszilícium ostyafelület eltér a CMP technológiától, amelyet az ostya felületének simítására használnak az IC előkészítés során. Bár mindkét módszer a kémiai és mechanikai polírozás kombinációját foglalja magában, feltételeik, céljaik és alkalmazásaik jelentősen eltérnek egymástól.

Semicorex ajánlatokkiváló minőségű ostyák. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com