A szilícium lapka felületének végső polírozása

A 300 mm átmérőjű szilícium polírozó lapkák 0,13 μm-nél kisebb vonalszélességű IC chip áramköri folyamatainak magas minőségi követelményeinek eléréséhez elengedhetetlen a szennyeződések, például fémionok okozta szennyeződések minimalizálása az ostya felületén. Ezenkívül aszilícium ostyarendkívül magas felületi nanomorfológiai jellemzőkkel kell rendelkeznie. Ennek eredményeként a végső polírozás (vagy finompolírozás) a folyamat döntő lépésévé válik.

Ez a végső polírozás jellemzően lúgos kolloid szilícium-dioxid kémiai mechanikai polírozási (CMP) technológiát alkalmaz. Ez a módszer kombinálja a kémiai korrózió és a mechanikai kopás hatását, hogy hatékonyan és pontosan távolítsa el az apró hibákat és szennyeződéseket aszilícium ostyafelület.

Bár a hagyományos CMP technológia hatékony, a berendezés költséges lehet, és a szükséges pontosság elérése kisebb vonalszélességeknél a hagyományos polírozási módszerekkel kihívást jelenthet. Ezért az ipar új polírozási technológiákat kutat, mint például a szárazkémiai planarizációs plazmatechnológiát (D.C.P. plazmatechnológia), digitálisan vezérelt szilíciumlapkákhoz.

A D.C.P plazma technológia egy érintésmentes feldolgozási technológia. SF6 (kén-hexafluorid) plazmát használ a maratáshozszilícium ostyafelület. A plazmamaratási feldolgozási idő pontos szabályozásával ésszilícium ostyaszkennelési sebesség és egyéb paraméterek, nagy pontosságú simítást érhet elszilícium ostyafelület. A hagyományos CMP technológiához képest a D.C.P technológia nagyobb feldolgozási pontossággal és stabilitással rendelkezik, és jelentősen csökkentheti a polírozás működési költségeit.

A D.C.P feldolgozási folyamat során különös figyelmet kell fordítani a következő technikai kérdésekre:

A plazmaforrás vezérlése: Győződjön meg arról, hogy a paraméterek, például az SF₆(plazmaképződés és sebességáramlás intenzitása, sebességáramlási pont átmérője (sebességű áramlás fókusza)) pontosan szabályozzák, hogy egyenletes korróziót érjenek el a szilícium lapka felületén.

A letapogató rendszer vezérlési pontossága: A szilícium lapka X-Y-Z háromdimenziós irányában lévő letapogató rendszernek rendkívül nagy szabályozási pontossággal kell rendelkeznie, hogy a szilícium lapka felületének minden pontja pontosan feldolgozható legyen.

Feldolgozástechnológiai kutatás: A D.C.P plazmatechnológia feldolgozási technológiájának mélyreható kutatása és optimalizálása szükséges a legjobb feldolgozási paraméterek és feltételek megtalálásához.

Felületi sérülések ellenőrzése: A D.C.P feldolgozási folyamat során szigorúan ellenőrizni kell a szilícium lapka felületén lévő sérüléseket, hogy elkerüljék az IC chip áramkörök későbbi előkészítését érintő káros hatásokat.

Bár a D.C.P plazmatechnológiának számos előnye van, mivel új feldolgozási technológiáról van szó, még mindig kutatási és fejlesztési szakaszban van. Ezért a gyakorlati alkalmazások során óvatosan kell kezelni, és a műszaki fejlesztések és optimalizálások folytatódnak.

Általában véve a végső polírozás fontos része aszilícium ostyafeldolgozási folyamat, és ez közvetlenül kapcsolódik az IC chip áramkör minőségéhez és teljesítményéhez. A félvezetőipar folyamatos fejlődésével a felület minőségi követelményeiszilícium ostyákegyre magasabb lesz. Ezért az új polírozási technológiák folyamatos feltárása és fejlesztése a jövőben fontos kutatási irány lesz a szilíciumlemez-feldolgozás területén.

Semicorex ajánlatokkiváló minőségű ostyák. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com