Félvezető kemencereaktor

A félvezető kemencereaktorok a félvezetőgyártási folyamatok központi berendezései, elsősorban olyan kritikus folyamatokhoz használatosak, mint a termikus oxidáció, diffúzió, lágyítás és kémiai gőzleválasztás. Egy tipikus kemencerendszer (vízszintes/függőleges diffúziós kemence) főként a következő fő összetevőket tartalmazza: fűtőrendszer, hőmérséklet-szabályozó rendszer, szállítórendszer, gázáramlás-szabályozó rendszer (MFC) és füstgázelvezető rendszer.

Az általános építészeti szempontból a magas hőmérsékletű kemencék vízszintes és függőleges típusokra oszthatók, amelyeket a kvarccső és a fűtőelemek rendszeren belüli helyzete határoz meg. A magas hőmérsékletű kemence általában öt alapvető komponensből áll: egy vezérlőrendszerből, egy technológiai kemencecsőből, egy gázellátó rendszerből, egy gázelvezető rendszerből és egy töltőrendszerből. A vezérlőrendszer több mikrokontrollerhez csatlakoztatott számítógépből áll, amely a teljes folyamat pontos vezérléséért felelős.

Ami az anyagválasztást illeti, a kemencecső anyagok közé elsősorban tartozikkvarc(magas hőmérséklet és korrózióálló),alumínium-oxid (Al2O3), szilícium-karbid (SiC)vagy fémötvözetek (például Inconel). A fűtési rendszer fűtőelemei jellemzően ellenálláshuzalokat (például Kanthal, MoSi₂), szilícium-karbid rudakat (SiC) vagy infravörös fűtőtesteket használnak. A fűtési zóna egyhőmérsékletű vagy több hőmérsékletű zónaként is kialakítható a pontos hőmérsékletszabályozás elérése érdekében. A hőmérséklet-szabályozó rendszer hőelemeket (K-típusú, S-típusú) használ a hőmérséklet valós idejű monitorozására, ±1℃ hőmérsékletszabályozási pontosságot érve el PID-szabályozón keresztül, vagy PLC-vel programozható hőmérséklet-szabályozást használ.

Folyamatparaméter-tartomány és alkalmazható anyagok

Hőmérséklet-paraméter tartomány: A hőmérséklet-tartomány a folyamattól függően változik. A szabványos fűtőberendezés folyamati hőmérséklet-tartománya 300-1100 ℃, az alacsony hőmérsékletű kemencé pedig 250-500 ℃. A jellemző folyamathőmérséklet 400-1100 ℃, az oxidációs és diffúziós folyamatok jellemzően 800-1100 ℃, az LPCVD folyamatok 500-800 ℃ és az izzítási folyamatok 400-500 ℃.

Az epitaxiális növekedés során a szilícium lapkákat epitaxiális kemencében körülbelül 1200 °C-ra melegítik. Elgőzölt szilícium-tetrakloridot (SiCl4) és triklór-szilánt (SiHCl3) adagolunk a kemencébe, hogy epitaxiális növekedést idézzünk elő az ostya felületén.

A legszélesebb körben alkalmazott termikus oxidációs eljárás egy magas, 800-1200°C-os hőmérsékleten végrehajtott eljárás egy vékony, egyenletes szilícium-dioxid réteg kialakítása érdekében. A termikus oxidáció lehet nedves vagy száraz, az oxidációs reakcióhoz használt gázoktól függően.

Alkalmazható anyagrendszerek: A kemencecső-eljárások különféle félvezető anyagokhoz alkalmasak, beleértve a szilíciumot (Si), a szilícium-germániumot (SiGe) és a kvarcot. A SiGe folyamatokban a CVD módszer a főfolyamat. A szilícium szubsztrát melegítésével és SiH4 és GeH4 gázok keverékének bevezetésével a szilícium germánium réteg lebomlik és magas hőmérsékleten (500-800°C) lerakódik, ami a germánium adalékkoncentrációjának és az epitaxiális réteg vastagságának pontos szabályozását igényli.

A Semicorex kiváló minőségű, egyedi kemenceelemeket szállít. Termékeinket úgy tervezték, hogy kiváló hőstabilitást, meghosszabbított élettartamot és kivételes folyamatkonzisztenciát biztosítsanak. Személyre szabott megoldásokért vagy további műszaki információkért forduljon mérnökcsapatunkhoz.

Telefon: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com