Szilícium-karbid ostyahajó

A félvezetőgyártás során az oxidáció magában foglalja az ostya magas hőmérsékletű környezetbe helyezését, ahol az oxigén átáramlik a lapka felületén, és oxidréteget képez. Ez megvédi az ostyát a kémiai szennyeződésektől, megakadályozza a szivárgó áram bejutását az áramkörbe, megakadályozza a diffúziót az ionimplantáció során, valamint megakadályozza az ostya elcsúszását a maratás során, védőfilmet képezve az ostya felületén. Az ebben a lépésben használt berendezés egy oxidációs kemence. A reakciókamrában a fő alkotóelemek közé tartozik az ostyahajó, az alap, a kemence béléscsövek, a belső kemencecsövek és a hőszigetelő terelőlapok. A magas üzemi hőmérséklet miatt a reakciókamrán belüli komponensekkel szembeni teljesítménykövetelmények is magasak.

Aostyahajóostyaszállításhoz és -feldolgozáshoz hordozóként használják. Olyan előnyökkel kell rendelkeznie, mint a magas integráció, nagy megbízhatóság, antisztatikus tulajdonságok, magas hőmérséklet-állóság, kopásállóság, deformációállóság, jó stabilitás és hosszú élettartam. Mivel az ostya oxidációs hőmérséklete hozzávetőlegesen 800 ℃ és 1300 ℃ között van, és a környezet fémes szennyezőanyag-tartalmára vonatkozó követelmények rendkívül szigorúak, az olyan kulcsfontosságú alkatrészeknek, mint az ostyahajó, nemcsak kiváló termikus, mechanikai és kémiai tulajdonságokkal kell rendelkezniük, hanem rendkívül alacsony fémszennyeződés-tartalommal is kell rendelkezniük. Az aljzat alapján kvarc ostya csónakokra, szilícium-karbid kerámia ostyákra stb. oszthatók fel. A 7 nm alatti technológiai csomópontok előrehaladásával és a magas hőmérsékletű technológiai ablakok bővülésével azonban a hagyományos kvarccsónakok fokozatosan alkalmatlanná válnak a hőstabilitás, a részecskeszabályozás és az élettartam szempontjából. A szilícium-karbid (SiC) csónakok fokozatosan felváltják a hagyományos kvarcmegoldásokat.

1. Félvezető gyártás

A chipgyártás magas hőmérsékletű folyamataiban, mint például az oxidáció, a diffúzió, a kémiai gőzleválasztás (CVD) és az ionbeültetés, SiC csónakokat használnak a szilícium ostyák megtámasztására, biztosítva, hogy a lapkák magas hőmérsékleten is sík maradjanak, és megakadályozzák a rács hőmérsékleti feszültség okozta eltolódását vagy deformációját, így garantálva a forgács pontosságát és teljesítményét.

2. Fotovoltaikus ipar

A szilícium-karbid kerámiák kiváló mechanikai szilárdsággal, termikus stabilitással, magas hőmérséklettel szembeni ellenállással, oxidációval szembeni ellenállással, hősokkállósággal és kémiai korrózióállósággal rendelkeznek, és széles körben használják olyan népszerű területeken, mint a kohászat, a gépipar, az új energia és az építőanyag-kemikália. Teljesítménye elegendő a fotovoltaikus gyártás termikus folyamataihoz is, mint például a diffúzió, az LPCVD (alacsony nyomású kémiai gőzleválasztás) és a PECVD (plazma kémiai gőzleválasztás) a TOPcon celláknál. A hagyományos kvarcanyagokhoz képest a szilícium-karbid kerámia anyagok, amelyeket csónaktartók, kis csónakok és csőszerű termékek készítéséhez használnak, nagyobb szilárdságot, jobb hőstabilitást és magas hőmérsékleten nem deformálódnak. Élettartamuk is több mint ötszöröse a kvarcokénak, ami jelentősen csökkenti az üzemeltetési költségeket és a karbantartási leállások miatti energiaveszteséget. Ez egyértelmű költségelőnyt eredményez, és az alapanyagok széles körben elérhetők.

3. Harmadik generációs félvezetőipar

A fém-szerves kémiai gőzleválasztásos (MOCVD) reakciókamrákban szilícium-karbid csónakokat használnak a zafír szubsztrátumok megtámasztására, ellenállnak a korrozív gázkörnyezeteknek, például az ammóniának (NH3), támogatják a harmadik generációs félvezető anyagok, például a gallium-nitrid (GaN) epitaxiális növekedését, és javítják a LED-chipek teljesítményét. A szilícium-karbid egykristály növesztésénél a szilícium-karbid egykristály növesztő kemencékben a szilícium-karbid csónakok magkristály-hordozóként szolgálnak, ellenállnak az olvadt szilícium magas hőmérsékletű korrozív környezetének, stabil támogatást nyújtanak a szilícium-karbid egykristályok növekedéséhez, és elősegítik a kiváló minőségű szilícium-karbid egykristályok előállítását.

A Semicorex kiváló minőségű SiC kerámiát szállítostyahajók. Termékeinket úgy tervezték, hogy kiváló hőstabilitást, meghosszabbított élettartamot és kivételes folyamatkonzisztenciát biztosítsanak. Személyre szabott megoldásokért vagy további műszaki információkért forduljon mérnökcsapatunkhoz.

Telefon: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com