6 hüvelykes ostyatartó Aixtron G5-höz

Az Aixtron G5-höz készült, gyakran szuszceptoroknak nevezett Semicorex 6" ostyahordozó alapvető szerepet játszik a félvezető lapkák biztonságos rögzítésében a magas hőmérsékletű feldolgozás során. A szuszceptorok biztosítják, hogy az ostyák rögzített helyzetben maradjanak, ami elengedhetetlen az egyenletes réteglerakódáshoz:

Hőkezelés:

Az Aixtron G5-höz készült 6 hüvelykes ostyahordozót úgy tervezték, hogy egyenletes fűtést és hűtést biztosítson az ostya felületén, ami kritikus fontosságú a kiváló minőségű félvezető rétegek létrehozásához használt epitaxiális növekedési folyamatokhoz.

Epitaxiális növekedés:

SiC és GaN rétegek:

Az Aixtron G5 platformot elsősorban SiC és GaN rétegek epitaxiális növekedésére használják. Ezek a rétegek alapvetőek a nagy elektronmobilitású tranzisztorok (HEMT), LED-ek és más fejlett félvezető eszközök gyártásában.

Pontosság és egységesség:

Az epitaxiális növekedési folyamathoz szükséges nagy pontosságot és egyenletességet az Aixtron G5-höz készült 6 hüvelykes ostyahordozó kivételes tulajdonságai segítik elő. A hordozó segít elérni a nagy teljesítményű félvezető eszközökhöz szükséges szigorú vastagság és összetétel egyenletességét.

Előnyök:

Magas hőmérsékleti stabilitás:

Extrém hőmérséklet tolerancia:

Az Aixtron G5-höz készült 6 hüvelykes ostyahordozó rendkívül magas, gyakran 1600°C-ot is meghaladó hőmérsékletet bír el. Ez a stabilitás kulcsfontosságú az olyan epitaxiális folyamatok számára, amelyek tartósan magas hőmérsékletet igényelnek hosszabb ideig.

Hőintegritás:

Az Aixtron G5-höz készült 6 hüvelykes ostyahordozó azon képessége, hogy megőrzi a szerkezeti integritást ilyen magas hőmérsékleten, egyenletes teljesítményt biztosít, és csökkenti a hődegradáció kockázatát, ami veszélyeztetheti a félvezető rétegek minőségét.

Kiváló hővezető képesség:

Hőeloszlás:

A SiC magas hővezető képessége elősegíti a hatékony hőátadást az ostya felületén, egyenletes hőmérsékleti profilt biztosítva. Ez az egyenletesség létfontosságú a termikus gradiensek elkerüléséhez, amelyek hibákhoz és egyenetlenségekhez vezethetnek az epitaxiális rétegekben.

Továbbfejlesztett folyamatvezérlés:

A jobb hőkezelés lehetővé teszi az epitaxiális növekedési folyamat jobb irányítását, lehetővé téve jobb minőségű félvezető rétegek előállítását kevesebb hibával.

Vegyi ellenállás:

Korrozív környezettel való kompatibilitás:

Az Aixtron G5 6 hüvelykes ostyahordozója kivételes ellenállást biztosít a CVD-eljárásokban általánosan használt korrozív gázokkal, például a hidrogénnel és az ammóniával szemben. Ez az ellenállás meghosszabbítja az ostyahordozók élettartamát azáltal, hogy megvédi a grafit hordozót a kémiai támadásoktól.

Csökkentett karbantartási költségek:

Az Aixtron G5-höz készült 6 hüvelykes ostyatartó tartóssága csökkenti a karbantartások és cserék gyakoriságát, ami alacsonyabb működési költségeket és megnövekedett üzemidőt eredményez az Aixtron G5 berendezés számára.

Alacsony hőtágulási együttható (CTE):

Minimális hőterhelés:

A SiC alacsony CTE-je segít minimalizálni a termikus stresszt az epitaxiális növekedési folyamatokban rejlő gyors fűtési és hűtési ciklusok során. A hőfeszültség csökkenése csökkenti az ostya megrepedésének vagy vetemedésének valószínűségét, ami az eszköz meghibásodásához vezethet.

Kompatibilitás az Aixtron G5 berendezésekkel:

Testre szabott dizájn:

Az Aixtron G5 számára készült Semicorex 6 hüvelykes ostyahordozót kifejezetten úgy tervezték, hogy kompatibilis legyen az Aixtron G5 berendezéssel, optimális teljesítményt és zökkenőmentes integrációt biztosítva.

Maximális teljesítmény:

Ez a kompatibilitás maximalizálja az Aixtron G5 rendszer teljesítményét és hatékonyságát, lehetővé téve, hogy megfeleljen a modern félvezetőgyártási folyamatok szigorú követelményeinek.