ALD bolygószuszceptor

A Semicorex ALD Planetary Susceptor fontos az ALD berendezésekben, mivel képesek ellenállni a zord feldolgozási körülményeknek, és kiváló minőségű filmlerakást biztosítanak különféle alkalmazásokhoz. Ahogy a kisebb méretű és nagyobb teljesítményű fejlett félvezető eszközök iránti kereslet folyamatosan növekszik, az ALD Planetary Susceptor alkalmazása az ALD-ben várhatóan tovább fog bővülni.**

Kérdés küldése

termékleírás

Alkalmazások:

Nagy k dielektromos leválasztás: Az ALD Planetary Susceptor kiválóan ellenáll az agresszív prekurzoroknak, amelyeket a magas k dielektromos anyagok, például a hafnium-oxid (HfO2) és az alumínium-oxid (Al2O3) lerakásához használnak. Ezáltal az ALD Planetary Susceptor alkalmas nagy teljesítményű tranzisztorok gyártására logikai és memóriaalkalmazásokhoz.

Fémezési rétegek: Az ALD Planetary Susceptor magas hőmérsékleti stabilitása lehetővé teszi a fémrétegek magasabb hőmérsékleten történő lerakódását, ami javítja a film tulajdonságait, például alacsonyabb ellenállást és nagyobb sűrűséget. Ez kulcsfontosságú a fejlett félvezető eszközök hatékony összekapcsolásának létrehozásához.

Optoelektronikai eszközök gyártása:Az ALD Planetary Susceptor inert természete minimalizálja a nem kívánt reakciókat az érzékeny anyagok, például a III-V félvezetők lerakására használt prekurzorokkal, így az ALD Planetary Susceptor tökéletesen illeszkedik LED-ek, lézerek és egyéb optoelektronikai alkatrészek gyártásához.

ALD ciklus

Atomic Layer Deposition (ALD)számos kulcsfontosságú előnyt kínál más vékonyréteg-leválasztási technikákkal szemben, így egyre népszerűbb a különféle alkalmazásokban, különösen a mikroelektronikában és a nanotechnológiában.

Íme néhány az ALD legfontosabb előnyei:

1. Angstrom-szintű vastagságszabályozás:

Az ALD lehetővé teszi a filmvastagság pontos szabályozását egészen az angström szintig (0,1 nanométer). Ezt a pontossági szintet önkorlátozó felületi reakcióival érik el, ahol minden ciklus egyetlen atomi réteget rak le.

2. Kiváló egységesség és konformitás:

Az ALD kivételes egységességet mutat nagy felületeken és összetett 3D-s struktúrákon, beleértve a nagy képarányú jellemzőket, mint például árkok és átmenetek. Ez döntő fontosságú olyan alkalmazásoknál, amelyek bonyolult geometriákon egységes bevonatot igényelnek, például félvezető eszközöknél.

3. Alacsony lerakódási hőmérséklet:

Az ALD más leválasztási technikákkal összehasonlítva viszonylag alacsony hőmérsékleten (gyakran 300 °C alatt) is elvégezhető. Ez előnyös a hőérzékeny aljzatoknál, és szélesebb körű anyagok alkalmazását teszi lehetővé.

4. Kiváló minőségű filmek:

Az ALD jellemzően kiváló sűrűségű, alacsony szennyeződési szinttel és nagy egyenletes összetételű és vastagságú filmeket állít elő. Ezek a jellemzők elengedhetetlenek az optimális teljesítmény eléréséhez különböző alkalmazásokban.

5. Széles anyagválaszték:

Az ALD a leválasztható anyagok széles választékát kínálja, beleértve az oxidokat, nitrideket, fémeket és szulfidokat. Ez a sokoldalúság sokféle alkalmazásra alkalmassá teszi.

6. Skálázhatóság és ipari alkalmazhatóság:

Az ALD technológia nagymértékben skálázható, és könnyen integrálható a meglévő gyártási folyamatokba. Különféle méretű és formájú aljzatokkal kompatibilis, így alkalmas nagy volumenű gyártásra.