ALN egykristályos ostya

A Semicorex ALN Egyetlen kristály ostya a félvezető technológiában folytatott forradalmi fejlődés, amely a kivételes elektromos, termikus és mechanikai tulajdonságok egyedi kombinációját kínálja. Az ultraszélű sávszélességű félvezető anyagként, amelynek 6,2 eV sávja van, az ALN-t egyre inkább elismerik a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és mély ultraibolya (UV) optoelektronikus eszközök optimális szubsztrátjaként. Ezek a tulajdonságok az ALN -t a hagyományos szubsztrátok, mint például a zafír, a szilícium -karbid (SIC) és a gallium -nitrid (GAN) alternatívájaként helyezik el, különösen az alkalmazásokban, amelyek szélsőséges termikus stabilitást, nagy bontási feszültséget és kiváló hővezető képességet igényelnek.

Jelenleg az ALN egykristályos ostya a kereskedelemben 2 hüvelyk átmérőjű méretben kapható. A kutatási és fejlesztési erőfeszítések folytatódásával a kristálynövekedési technológiák fejlődése várhatóan lehetővé teszi a nagyobb ostyaméreteket, javítva a termelési méretezhetőséget és csökkentve az ipari alkalmazások költségeit.

A SIC egykristály növekedéséhez hasonlóan az ALN egykristályokat nem lehet az olvadék módszerrel termeszteni, de csak fizikai gőz szállítással (PVT) termeszthető.

Három fontos növekedési stratégia létezik az ALN egykristályos PVT növekedéséhez:

1) Spontán nukleációnövekedés

2) Heteroepitaxiális növekedés a 4H-/6H-SIC szubsztráton

3) Homoepitaxiális növekedés

Az ALN egykristályos ostya megkülönbözteti a 6,2 eV ultraszélességű sávszélességét, amely garantálja a kivételes elektromos szigetelést és a páratlan mély UV teljesítményt. Ezek az ostyák egy nagy bontási elektromos mezővel büszkélkedhetnek, amely meghaladja a SIC és a GAN-t, és a nagy teljesítményű elektronikus eszközök optimális választásának helyezkedik el. Körülbelül 320 tömeg/mk lenyűgöző hővezetőképességgel biztosítják a hatékony hőeloszlást, ami kritikus követelmény a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz. Az ALN nemcsak kémiai és termikusan stabil, hanem a szélsőséges környezetben is fenntartja a legjobb teljesítményt. Kiváló sugárzási ellenállása páratlan lehetőséget kínál a tér és a nukleáris alkalmazások számára. Ezenkívül figyelemre méltó piezoelektromos tulajdonságai, nagy fűrészű sebessége és erős elektromechanikus kapcsolása kiemelkedő jelöltként szolgálja a GHZ-szintű fűrészkészülékek, szűrők és érzékelők számára.

Az ALN egykristályos ostya kiterjedt alkalmazásokat talál különféle nagyteljesítményű elektronikus és optoelektronikus eszközökben. Ideális szubsztrátként szolgálnak a mély ultraibolya (DUV) optoelektronika számára, ideértve a mély UV LED-eket, amelyek a 200–280 nm-es tartományban működnek a sterilizáláshoz, a víztisztításhoz és az orvosbiológiai alkalmazásokhoz, valamint az Advanced ipari és orvosi területeken alkalmazott UV lézerdiódok (LDS). Az ALN-t széles körben használják nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikus eszközökben, különösen a rádiófrekvenciás (RF) és a mikrohullámú alkatrészekben, ahol a nagy bontási feszültség és az alacsony elektronszórás biztosítja a kiváló teljesítményt az energiaerősítőkben és a kommunikációs rendszerekben. Ezenkívül döntő szerepet játszik a teljesítményelektronikában, javítva az inverterek és az átalakítók hatékonyságát az elektromos járművekben, a megújuló energiarendszerekben és az űrrepülések alkalmazásaiban. Ezenkívül az ALN kiváló piezoelektromos tulajdonságai és nagy fűrész sebessége teszi optimális anyagot a felszíni akusztikus hullám (SAW) és az ömlesztett akusztikus hullám (BAW) eszközökhöz, amelyek nélkülözhetetlenek a telekommunikáció, a jelfeldolgozás és az érzékelési technológiákhoz. Kivételes hővezetőképessége miatt az ALN kulcsfontosságú anyag a nagy teljesítményű LED-ek, a lézerdiódák és az elektronikus modulok hőgazdálkodási megoldásaiban is, amelyek hatékony hőelvezetést biztosítanak és javítják az eszköz hosszú élettartamát.

A Semicorex ALN egykristályos ostya a félvezető szubsztrátok jövőjét képviseli, páratlan elektromos, termikus és piezoelektromos tulajdonságokat kínálva. A mély UV optoelektronikában, a teljesítmény-elektronikában és az akusztikus hullámkészülékekben történő alkalmazásuk miatt a következő generációs technológiák számára nagyon keresett anyaggá teszik őket. Ahogy a gyártási képességek tovább javulnak, az Aln WaFers a nagyteljesítményű félvezető eszközök nélkülözhetetlen elemévé válik, előkészítve az utat az innovatív fejlődéshez több iparágban.