Epitaxy ostyahordozó

Applikációk:A Semicorex által kifejlesztett Epitaxy Wafer Carrier kifejezetten különféle fejlett félvezető-gyártási folyamatokhoz készült. Ezek a hordozók kiválóan alkalmasak olyan környezetekre, mint például:

Plazmával javított kémiai gőzleválasztás (PECVD):A PECVD-eljárásokban az Epitaxy Wafer Carrier elengedhetetlen a hordozók kezeléséhez a vékonyréteg-leválasztási folyamat során, biztosítva ezzel az egyenletes minőséget és egyenletességet.

Szilícium és SiC Epitaxy:A szilícium és a SiC epitaxiás alkalmazásokhoz, ahol vékony rétegeket hordanak fel a szubsztrátumokra, hogy kiváló minőségű kristályos struktúrákat alakítsanak ki, az Epitaxy Wafer Carrier megőrzi stabilitását szélsőséges hőviszonyok között is.

Fém-szerves kémiai gőzfázisú leválasztás (MOCVD) egységek:Az összetett félvezető eszközök, például LED-ek és teljesítményelektronika gyártásához használt MOCVD-egységekhez olyan hordozókra van szükség, amelyek elviselik a folyamatban rejlő magas hőmérsékletet és agresszív kémiai környezetet.

Előnyök:

Stabil és egyenletes teljesítmény magas hőmérsékleten:

Az izotróp grafit és a szilícium-karbid (SiC) bevonat kombinációja kivételes termikus stabilitást és egyenletességet biztosít magas hőmérsékleten. Az izotróp grafit minden irányban konzisztens tulajdonságokat kínál, ami kulcsfontosságú a hőterhelés alatt használt Epitaxy Wafer Carrier megbízható teljesítményének biztosításához. A SiC bevonat hozzájárul az egyenletes hőeloszlás fenntartásához, megakadályozza a forró pontok kialakulását, és biztosítja, hogy a hordozó hosszabb ideig megbízhatóan működjön.

Fokozott korrózióállóság és meghosszabbított alkatrészek élettartama:

A SiC bevonat köbös kristályszerkezetével nagy sűrűségű bevonatréteget eredményez. Ez a szerkezet jelentősen megnöveli az Epitaxy Wafer Carrier ellenállását a korrozív gázokkal és vegyi anyagokkal szemben, amelyek jellemzően a PECVD, epitaxy és MOCVD folyamatokban fordulnak elő. A sűrű SiC bevonat megvédi az alatta lévő grafit hordozót a lebomlástól, ezáltal meghosszabbítja a hordozó élettartamát és csökkenti a cserék gyakoriságát.

Optimális bevonat vastagság és fedés:

A Semicorex olyan bevonási technológiát alkalmaz, amely 80-100 µm szabványos SiC bevonatvastagságot biztosít. Ez a vastagság optimális a mechanikai védelem és a hővezető képesség közötti egyensúly eléréséhez. A technológia biztosítja, hogy az összes kitett terület, beleértve a bonyolult geometriájúakat is, egyenletes bevonatú legyen, így kis, bonyolult felületeken is megmarad a sűrű és folyamatos védőréteg.

Kiváló tapadás- és korrózióvédelem:

A felső grafitréteg SiC bevonattal való beszivárgásával az Epitaxy Wafer Carrier kivételes tapadást ér el az aljzat és a bevonat között. Ez a módszer nemcsak azt biztosítja, hogy a bevonat sértetlen maradjon mechanikai igénybevétel esetén is, hanem fokozza a korrózióvédelmet is. A szorosan kötött SiC réteg gátként működik, megakadályozva, hogy a reaktív gázok és vegyi anyagok elérjék a grafitmagot, így megőrzi a hordozó szerkezeti integritását a kemény feldolgozási körülményeknek való hosszan tartó kitettség mellett.

Összetett geometriák bevonásának képessége:

A Semicorex által alkalmazott fejlett bevonattechnológia lehetővé teszi a SiC bevonat egységes felvitelét összetett geometriákon, például kis zsákfuratokon, amelyek átmérője akár 1 mm, és mélysége meghaladja az 5 mm-t. Ez a képesség kritikus fontosságú az Epitaxy Wafer Carrier átfogó védelmének biztosításához, még azokon a területeken is, amelyek bevonása hagyományosan nehézkes, megelőzve ezzel a helyi korróziót és leromlást.

Nagy tisztaságú és jól meghatározott SiC bevonat interfész:

A szilíciumból, zafírból, szilícium-karbidból (SiC), gallium-nitridből (GaN) és más anyagokból készült ostyák feldolgozásához a SiC bevonat felületének nagy tisztasága kulcsfontosságú előny. Az Epitaxy Wafer Carrier nagy tisztaságú bevonata megakadályozza a szennyeződést és megőrzi az ostyák integritását a magas hőmérsékletű feldolgozás során. A jól definiált interfész biztosítja a maximális hővezető képességet, lehetővé téve a hatékony hőátadást a bevonaton keresztül, jelentős hőkorlátok nélkül.

Diffúziós akadályként funkcionál:

Az Epitaxy Wafer Carrier SiC bevonata hatékony diffúziós gátként is szolgál. Megakadályozza a szennyeződések felszívódását és deszorpcióját az alatta lévő grafitanyagból, ezáltal fenntartja a tiszta feldolgozási környezetet. Ez különösen fontos a félvezetőgyártásban, ahol a szennyeződések minimális szintje is jelentősen befolyásolhatja a végtermék elektromos jellemzőit.