GaN Epitaxy Carrier

A Semicorex GaN Epitaxy Carrier kulcsfontosságú a félvezetőgyártásban, integrálva a fejlett anyagokat és a precíziós tervezést. A CVD SiC bevonattal kitűnik, ez a hordozó kivételes tartósságot, hőhatékonyságot és védőképességet kínál, így az iparágban kiemelkedő szerepet tölt be. Mi, a Semicorex elkötelezett a nagy teljesítményű GaN Epitaxy Carrier gyártása és szállítása iránt, amely ötvözi a minőséget a költséghatékonysággal.

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex GaN Epitaxy Carrier kiváló az ostyák kemencében történő biztonságos szállításában, miközben az ostya epitaxiális folyamatokhoz tervezték. A GaN Epitaxy Carrier kulcsfontosságú a kiváló minőségű, reprodukálható vékony filmek és epitaxiális rétegek eléréséhez, amelyek szükségesek a fejlett elektronikus és optoelektronikai eszközök előállításához.

A GaN Epitaxy Carrier grafit szubsztrátumát a legmodernebb kémiai gőzleválasztásos (CVD) szilícium-karbid (SiC) bevonat javítja. Ezt a SiC-réteget kémiai gőzleválasztással aprólékosan felhordják, így robusztus védelmet nyújt a kémiai reakciók és a kopás ellen az epitaxiás folyamat során. Ezenkívül a GaN Epitaxy Carrier SiC bevonata javítja a hordozó termikus tulajdonságait, elősegítve az ostyák hatékony és egyenletes melegítését. Az ilyen egyenletes melegítés létfontosságú az egyenletes és jó minőségű epitaxiális rétegek előállításához a félvezető lapkákon.

A különböző méretű félvezető lapkákhoz testreszabható Semicorex GaN Epitaxy Carrier sokoldalú megoldás a különféle gyártási igényekhez. Akár konkrét méretekre, formákra vagy bevonatvastagságra van szükség, csapatunk együttműködik az ügyfelekkel, hogy olyan megoldást dolgozzanak ki, amely megfelel a pontos specifikációiknak, és optimalizálja a teljesítményt az egyedi alkalmazásokhoz.