Nagy tisztaságú grafitpor

Semicorex Nagy tisztaságúgrafitA por kritikus anyag a félvezetőiparban. Kivételes tisztasági szintje és kiváló fizikai és kémiai tulajdonságai miatt ez az anyag nélkülözhetetlen a szigorú teljesítmény-szabványokat igénylő alkalmazásokhoz.

Főbb jellemzők

• Kivételes tisztaság: A nagy tisztaságú grafitpor jellemzően 99,9%-ot meghaladó széntartalommal rendelkezik, ami minimális szennyeződést biztosít a kristálynövekedési folyamat során. Ez a tisztasági szint elengedhetetlen a félvezető lapkák integritásának és minőségének megőrzéséhez.
• Kiváló hővezető képesség: Az anyag kiváló hővezető képessége egyenletes hőeloszlást tesz lehetővé, ami kritikus fontosságú a félvezető kristályok ellenőrzött növekedési környezetének fenntartásához.
• Magas hőmérséklettel szembeni ellenállás: A nagy tisztaságú grafitpor lebomlás nélkül ellenáll a szélsőséges hőmérsékleteknek, így ideális a félvezetőgyártásban használt magas hőmérsékletű kemencékhez.
• Kémiai stabilitás: A kémiai reakciókkal szembeni ellenálló képessége tartósságot és megbízhatóságot biztosít a zord körülményeknek való hosszan tartó expozíció során, beleértve a magas hőmérsékletet és a reakcióképes környezetet.
• Testreszabható részecskeméret: Különböző részecskeméretekben kapható, a por testreszabható, hogy megfeleljen a különböző félvezető kristályok növekedési folyamatainak sajátos igényeinek.

Alkalmazások a félvezető kristálynövekedésben

1. SiC kristálynövekedés:

A nagy tisztaságú grafitport széles körben használják a szilícium-karbid (SiC) kristályok növesztésében, amely folyamat kulcsfontosságú a fejlett félvezető eszközök előállításához. A port porózus grafitkomponensek, például tégelyek és szigetelőanyagok előállítására használják, amelyek elősegítik a kiváló minőségű SiC kristályok növekedését. Nagy tisztasága minimálisra csökkenti a szennyeződéseket, ezáltal javítja a keletkező kristályok elektromos és termikus tulajdonságait.

2. Fotovoltaikus szilíciumkristály növekedés:

A fotovoltaikus iparban nagy tisztaságú grafitport használnak az egykristályos és polikristályos szilícium növesztésére szolgáló alkatrészek előállítására. Ezek az alkatrészek, például a formák és a fűtőtestek egyenletes minőséget és hozamot biztosítanak a napelemekhez való szilíciumlapkák gyártása során.

3. Epitaxiális réteglerakódás:

Az anyag szerves részét képezi az epitaxiás folyamatoknak is, ahol pontos termikus és kémiai feltételek szükségesek a félvezető anyag rétegeinek növesztéséhez. A nagy tisztaságú grafitpor hozzájárul az epitaxiás komponensek, például a szuszceptorok előállításához, amelyek kivételes hő- és kémiai teljesítményt igényelnek.

4. Grafit alapú hőszigetelés:

A kristálynövekedéshez használt magas hőmérsékletű kemencékben grafitport használnak szigetelőanyagok előállítására, amelyek stabil hőkörnyezetet tartanak fenn. Ez növeli a folyamat hatékonyságát és biztosítja a kifejlett kristályok egyenletességét.

A Semicorex nagy tisztaságúgrafitpúder páratlan minőségének és alkalmazásorientált kialakításának köszönhetően kiemelkedik. Szigorú gyártási folyamataink biztosítják a konzisztenciát, a nagy tisztaságot és a személyre szabott specifikációkat, hogy megfeleljenek a félvezetőipar szigorú követelményeinek.

A Semicorex A nagy tisztaságú grafitpor a félvezető kristályok növekedésének egyik sarokköve, amely páratlan teljesítményt nyújt az igényes alkalmazásokban. Kivételes termikus, kémiai és szerkezeti tulajdonságai biztosítják a fejlett félvezető eszközök sikeres gyártását. Az innováció és a minőség iránti elkötelezettségével a Semicorex megbízható megoldást kínál azoknak a gyártóknak, akik a félvezető-eljárások terén kiválóságot kívánnak elérni.