Vízszintes SiC ostyahajó

A Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat meghatározó jellemzője az aprólékosan megtervezett réses architektúra, amelyet kifejezetten úgy alakítottak ki, hogy biztonságosan a helyén tartsa az ostyákat különféle magas hőmérsékletű folyamatok során. Ez a pontos ostyamegszorítás több kritikus funkciót is szolgál:

Az ostyamozgás megszüntetése:A nem kívánt csúszás vagy elmozdulás megakadályozásával a vízszintes SiC ostyahajó egyenletes kitettséget biztosít a folyamatban lévő gázoknak és a hőmérsékleti profiloknak, hozzájárulva az ostya rendkívül egyenletes feldolgozásához és minimalizálva a hibák kockázatát.

Továbbfejlesztett folyamatok egységessége:A lapka konzisztens pozicionálása közvetlenül a kritikus paraméterek, például a rétegvastagság, az adalékkoncentráció és a felületi morfológia kiváló egységességét eredményezi. Ez a pontosság különösen fontos az olyan alkalmazásokban, mint a kémiai gőzleválasztás (CVD) és a diffúzió, ahol még az enyhe eltérések is jelentősen befolyásolhatják az eszköz teljesítményét.

Csökkentett ostya sérülés:A Horizontal SiC Wafer Boat biztonságos tartása minimálisra csökkenti az ostya repedésének, törésének vagy karcolódásának lehetőségét a kezelés és a szállítás során, ami elengedhetetlen a magas hozamok fenntartásához és a gyártási költségek csökkentéséhez.

A precíziós kialakításon túl a Horizontal SiC Wafer Boat az anyagtulajdonságok lenyűgöző kombinációját kínálja, amely ideálissá teszi a félvezető és a fotovoltaikus gyártáshoz:

Extrém hőmérsékleti ellenállás: A Horizontal SiC Wafer Boat kivételes magas hőmérsékleti szilárdságot és stabilitást mutat, lehetővé téve, hogy deformáció vagy degradáció nélkül ellenálljon a szélsőséges hőviszonyoknak, amelyek olyan folyamatok során jelentkeznek, mint a kristálynövekedés, a lágyítás és a gyors termikus feldolgozás (RTP).

Ultra-nagy tisztaságú a szennyeződés ellenőrzéséhez:A nagy tisztaságú SiC használata minimális gázkibocsátást vagy részecskeképződést biztosít, megőrzi az érzékeny lapkafelületek integritását, és megakadályozza a szennyeződést, amely veszélyeztetheti az eszköz teljesítményét.

Kivételes kémiai stabilitás:A SiC eredendő tehetetlensége a vízszintes SiC ostyahajót rendkívül ellenállóvá teszi a félvezető- és fotovoltaikus gyártásban általánosan használt korrozív gázok és vegyszerek támadásával szemben. Ez a robusztus kémiai stabilitás hosszú működési élettartamot biztosít, és minimálisra csökkenti a keresztszennyeződés kockázatát a folyamatok között.

A Horizontal SiC Wafer Boat sokoldalúsága és teljesítménybeli előnyei széles körben elterjedtek számos kritikus félvezető és fotovoltaikus gyártási folyamatban:

Epitaxiális növekedés:A szelet pontos pozicionálása és a hőmérséklet egyenletessége kulcsfontosságú a fejlett félvezető eszközök kiváló minőségű epitaxiális rétegeinek eléréséhez, így a Horizontal SiC Wafer Boat ennek a folyamatnak a nélkülözhetetlen eszköze.

Diffúzió és ionbeültetés:A pontos doppingellenőrzés a legfontosabb a félvezető eszközök elektromos jellemzőinek meghatározásakor. A Horizontal SiC Wafer Boat precíz ostyapozícionálást biztosít ezen folyamatok során, ami javítja az egyenletességet és az eszköz teljesítményét.

Napelem gyártás:A Horizontal SiC Wafer Boat magas hőmérsékleti képességei és vegyszerállósága ideálissá teszik a fotovoltaikus cellákban használt szilícium lapkák feldolgozásához, hozzájárulva a napenergia rendszerek hatékonyságának és élettartamának növeléséhez.