MOCVD epitaxia receptor

A Semicorex MOCVD Epitaxy Susceptor a fém-szerves kémiai gőzleválasztás (MOCVD) epitaxia kritikus komponensévé vált, lehetővé téve a nagy teljesítményű félvezető eszközök kivételes hatékonyságú és pontosságú gyártását. Anyagtulajdonságainak egyedülálló kombinációja tökéletesen alkalmassá teszi az összetett félvezetők epitaxiális növekedése során fellépő hőigényes hő- és kémiai környezethez.**

Kérdés küldése

termékleírás

Előnyök az igényes epitaxia alkalmazásokhoz:

Ultra-nagy tisztaságú:A A MOCVD Epitaxy Susceptor ultramagas tisztasági szint elérésére lett kialakítva, minimalizálva annak kockázatát, hogy a nem kívánt szennyeződések beépüljenek a növekvő epitaxiális rétegekbe. Ez a kivételes tisztaság kulcsfontosságú a nagy hordozómobilitás fenntartásához, az optimális adalékolási profilok eléréséhez, és végső soron a nagy teljesítményű félvezető eszközök megvalósításához.

Kivételes hőütésállóság:A MOCVD Epitaxy Susceptor figyelemreméltóan ellenáll a hősokknak, ellenáll a gyors hőmérséklet-változásoknak és a MOCVD folyamatban rejlő gradienseknek. Ez a stabilitás egyenletes és megbízható teljesítményt biztosít a kritikus fűtési és hűtési fázisokban, minimálisra csökkentve az ostya meghajlásának, a stressz okozta hibák és a folyamat megszakításának kockázatát.

Kiváló vegyszerállóság:A MOCVD Epitaxy Susceptor kivételes ellenállást mutat a MOCVD-ben használt reaktív gázok és vegyszerek széles skálájával szemben, beleértve a korrozív melléktermékeket is, amelyek magas hőmérsékleten képződhetnek. Ez a tehetetlenség megakadályozza az epitaxiális rétegek szennyeződését, és biztosítja a leválasztott félvezető anyag tisztaságát, ami kritikus a kívánt elektromos és optikai tulajdonságok eléréséhez.

Elérhetőség teljesx Formák: A MOCVD Epitaxy Susceptor precízen megmunkálható összetett alakzatokra és geometriákra, hogy optimalizálja a gázáramlás dinamikáját és a hőmérséklet egyenletességét a MOCVD reaktoron belül. Ez a testreszabott tervezési lehetőség lehetővé teszi a hordozólapkák egyenletes melegítését, minimalizálva a hőmérséklet-ingadozásokat, amelyek inkonzisztens epitaxiális növekedéshez és az eszköz teljesítményéhez vezethetnek.