Miért hajlanak meg az oldalfalak a száraz marás során?

A száraz maratás jellemzően fizikai és kémiai hatásokat kombináló folyamat, ahol az ionbombázás a döntő fizikai maratási technika. Marás közben az ionok beesési szöge és energiaeloszlása ​​egyenetlen lehet.

Ha az ion beesési szöge az oldalfalak különböző helyén változik, a maratási hatás is eltérő lesz. A nagyobb ionbeesési szögű területeken az oldalfalakra gyakorolt ​​ionmaratási hatás erősebb, ami több oldalfalmaratáshoz vezet ezen a területen, és az oldalfal meghajlását okozza. Ezenkívül az egyenetlen ionenergia-eloszlás is hasonló hatást vált ki; a nagyobb energiájú ionok hatékonyabban távolítják el az anyagot, ami inkonzisztens maratási szintet eredményez az oldalfalak különböző helyein, ami tovább okozza az oldalfal meghajlását.

A Photoresist maszkként működik a száraz maratáshoz, megvédi azokat a területeket, amelyeket nem kell maratni. A fotorezisztet azonban a plazmabombázás és a maratás során végbemenő kémiai reakciók is befolyásolják, tulajdonságai változhatnak.

Az egyenetlen fotoreziszt vastagság, az inkonzisztens fogyasztási arányok maratás közben, vagy a fotoreziszt és a hordozó közötti tapadás eltérései a különböző helyeken mind az oldalfalak egyenetlen védelmét eredményezhetik a maratás során. Például a vékonyabb vagy gyengébb fotoreziszt tapadású területek lehetővé tehetik az alatta lévő anyag könnyebb maratását, ami ezeken a helyeken az oldalfal meghajlásához vezethet.

Az alapanyag jellemzőinek különbségei

A maratott szubsztrátum anyagának jellemzői eltérőek lehetnek, mint például a kristályok eltérő orientációja és adalékolási koncentrációja a különböző régiókban. Ezek a különbségek befolyásolják a maratási sebességet és a szelektivitást.

A kristályos szilíciumot példának vesszük, a szilíciumatomok elrendezése a kristályok orientációja szerint eltérő, ami a maratógázzal való reaktivitás és a maratási sebesség eltéréseit eredményezi. A maratás során ezek az anyagtulajdonságok különbségei az oldalfalak különböző helyein inkonzisztens maratási mélységekhez vezetnek, ami végső soron az oldalfal meghajlását okozza.

A felszereléssel kapcsolatos tényezők

A maratóberendezés teljesítménye és állapota is jelentősen befolyásolja a maratási eredményeket. Például az egyenetlen plazmaeloszlás a reakciókamrán belül és az egyenetlen elektródakopás a paraméterek, például az ionsűrűség és az energia egyenetlen eloszlását okozhatja a lapka felületén a maratás során.

Ezenkívül az egyenetlen hőmérséklet-szabályozás és a gázáramlási sebesség kisebb ingadozásai szintén befolyásolhatják a maratási egyenletességet, tovább hozzájárulva az oldalfal meghajlásához.

A Semicorex kiváló minőséget kínálCVD SiC alkatrészekrézkarcra. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com