A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok legfontosabb paraméterei

Rács paraméterei:Annak biztosítása, hogy a szubsztrát rácsállandója megegyezzen a növesztendő epitaxiális réteg rácsállandójával, kulcsfontosságú a hibák és a feszültség minimalizálása érdekében.

Halmozási sorrend:A makroszkopikus szerkezeteSicszilícium- és szénatomokból áll, 1:1 arányban. A különböző atomi rétegelrendezések azonban különböző kristályszerkezeteket eredményeznek. Ebből adódóan,Sicszámos politípust mutat be, mint pl3C-SiC, 4H-SiC és 6H-Sic, amely megfelel az olyan halmozási szekvenciáknak, mint az ABC, ABCB, ABCACB.

Mohs keménység:Az aljzat keménységének meghatározása elengedhetetlen, mivel ez befolyásolja a feldolgozás egyszerűségét és a kopásállóságot.

Sűrűség:A sűrűség befolyásolja a mechanikai szilárdságot és a termikus tulajdonságaitszubsztrát.

Hőtágulási együttható:Ez arra az arányra vonatkozik, amellyel aszubsztráthossza vagy térfogata megnő az eredeti méretekhez képest, ha a hőmérséklet egy Celsius-fokkal emelkedik. Az aljzat és az epitaxiális réteg hőtágulási együtthatóinak összeegyeztethetősége hőmérséklet-ingadozások hatására befolyásolja az eszköz hőstabilitását.

Törésmutató:Az optikai alkalmazásoknál a törésmutató kritikus paraméter az optoelektronikai eszközök tervezésében.

Dielektromos állandó:Ez befolyásolja az eszköz kapacitív tulajdonságait.

Hővezető:A nagy teljesítményű és magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz elengedhetetlen, hogy a hővezető képesség befolyásolja a készülék hűtési hatékonyságát.

Sávköz:A sávszélesség a vegyértéksáv teteje és a vezetési sáv alsó része közötti energiakülönbséget jelenti félvezető anyagokban. Ez az energiakülönbség határozza meg, hogy az elektronok át tudnak-e váltani a vegyértéksávból a vezetési sávba. A széles sávú anyagok több energiát igényelnek az elektronátmenetek gerjesztéséhez.

Leállási elektromos mező:Ez az a maximális feszültség, amelyet egy félvezető anyag ellenáll.

Telítettség eltolódási sebessége:Ez arra a maximális átlagos sebességre vonatkozik, amelyet a töltéshordozók elérhetnek egy félvezető anyagban, ha elektromos térnek vannak kitéve. Amikor az elektromos térerősség bizonyos mértékig növekszik, a vivősebesség már nem növekszik a tér további növekedésével, és eléri az úgynevezett telítési sodródási sebességet.**

A Semicorex kiváló minőségű alkatrészeket kínál a SiC szubsztrátumokhoz. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.