A SiC hordozó feldolgozás fő lépései

A 4H- feldolgozásaSiC hordozóelsősorban a következő lépéseket tartalmazza:

1. Kristálysík orientáció: Használjon röntgendiffrakciós módszert a kristályrúd orientálásához. Amikor egy röntgensugár esik a kristálysíkra, amelyet orientálni kell, a kristálysík irányát a diffrakciós sugár szöge határozza meg.

2. Hengeres bukdácsolás: A grafittégelyben termesztett egykristály átmérője nagyobb, mint a standard méret, és az átmérőt hengeres bukdácsolással a standard méretre csökkentjük.

3. Végcsiszolás: A 4 hüvelykes 4H-SiC hordozónak általában két pozicionáló éle van, a fő pozicionáló él és a kiegészítő pozicionáló él. A pozicionáló élek a homlokfelületen keresztül vannak kicsiszolva.

4. Huzalvágás: A huzalvágás fontos folyamat a 4H-SiC hordozók feldolgozásában. A huzalvágási folyamat során keletkezett repedések és a felszín alatti maradék károsodások kedvezőtlenül befolyásolják a további folyamatot. Ez egyrészt meghosszabbítja a következő folyamathoz szükséges időt, másrészt maga az ostya elvesztését okozza. Jelenleg a leggyakrabban használt szilícium-karbid huzalvágási eljárás a gyémántkötésű, többhuzalos csiszoló dugattyús vágás. A4H-SiC ingotfőként egy gyémánt csiszolóanyaggal összekötött fémhuzal oda-vissza mozgásával vágják. A huzalba vágott ostya vastagsága körülbelül 500 μm, a lapka felületén nagyszámú huzalvágott karc és mély felszín alatti sérülés található.

5. Letörés: Annak érdekében, hogy a későbbi feldolgozás során elkerüljük az ostya szélén a berepedezést, illetve a csiszolókorongok, polírozó párnák stb. veszteségét a későbbi folyamatokban, szükséges az éles ostyaélek köszörülése a huzal után. vágásba Adja meg az alakot.

6. Vékonyítás: A 4H-SiC ingot huzalvágási folyamata nagyszámú karcolást és felszín alatti sérülést hagy az ostya felületén. A gyémánt csiszolókorongokat vékonyításra használják. A fő cél az, hogy a lehető legnagyobb mértékben eltávolítsa ezeket a karcolásokat és sérüléseket.

7. Köszörülés: Az őrlési folyamat durva őrlésre és finom köszörülésre oszlik. A specifikus eljárás hasonló a hígításhoz, de kisebb szemcseméretű bór-karbid vagy gyémánt csiszolóanyagot használnak, és az eltávolítási sebesség is kisebb. Főleg azokat a részecskéket távolítja el, amelyeket a hígítási folyamat során nem lehet eltávolítani. Sérülések és újonnan bevezetett sérülések.

8. Polírozás: A polírozás a 4H-SiC hordozó feldolgozás utolsó lépése, és durva polírozásra és finom polírozásra is fel van osztva. Az ostya felülete fényesítő folyadék hatására lágy oxidréteget képez, az oxidréteget pedig alumínium-oxid vagy szilícium-oxid csiszolószemcsék mechanikai hatására távolítják el. A folyamat befejezése után az aljzat felületén alapvetően nincsenek karcolások és felületi sérülések, és rendkívül alacsony felületi érdesség jellemzi. Ez kulcsfontosságú folyamat a 4H-SiC hordozó ultrasima és sérülésmentes felületének eléréséhez.

9. Tisztítás: Távolítsa el a részecskéket, fémeket, oxidfilmeket, szerves anyagokat és egyéb szennyeződéseket, amelyek a feldolgozási folyamat során maradtak.