Mi az a CMP folyamat

A félvezetőgyártásban az atomi szintű laposságot általában a globális síkság leírására használjákostya, a nanométer mértékegységével (nm). Ha a globális síksági követelmény 10 nanométer (nm), ez egyenértékű 10 nanométeres maximális magasságkülönbséggel 1 négyzetméteres területen (a 10 nm-es globális síkság megfelel a Tienanmen tér bármely két pontja közötti magasságkülönbségnek). 440 000 négyzetméter terület, de nem haladja meg a 30 mikront.) A felületi érdesség pedig kisebb, mint 0,5 um (egy 75 mikron átmérőjű hajszálhoz képest ez a hajszál egy 150 000-ed részének felel meg). Bármilyen egyenetlenség rövidzárlatot, áramköri szakadást okozhat, vagy befolyásolhatja a készülék megbízhatóságát. Ezt a nagy pontosságú síkossági követelményt olyan eljárásokkal kell elérni, mint például a CMP.

CMP folyamat elve

A kémiai mechanikai polírozás (CMP) egy olyan technológia, amelyet az ostya felületének simítására használnak a félvezető chipek gyártása során. A polírozó folyadék és az ostya felülete közötti kémiai reakció révén könnyen kezelhető oxidréteg keletkezik. Az oxidréteg felületét ezután mechanikus csiszolással távolítják el. Több kémiai és mechanikai művelet felváltva történő végrehajtása után egységes és lapos ostyafelület alakul ki. Az ostya felületéről eltávolított kémiai reagensek az áramló folyadékban feloldódnak és elszaporodnak, így a CMP polírozási folyamat két folyamatból áll: kémiai és fizikai.