Mi a SiC epitaxiális folyamata?

A nagyfeszültségű területen, különösen a 20 000 V feletti nagyfeszültségű készülékeknél aSiC epitaxiálisa technológia még mindig számos kihívással néz szembe. Az egyik fő nehézség a magas egyenletesség, vastagság és adalékolási koncentráció elérése az epitaxiális rétegben. Az ilyen nagyfeszültségű készülékek gyártásához 200 um vastag, kiváló egyenletességű és koncentrációjú szilícium-karbid epitaxiális lapka szükséges.

 

A nagyfeszültségű készülékekhez való vastag SiC fóliák gyártása során azonban számos hiba, különösen háromszögletű hibák léphetnek fel. Ezek a hibák negatív hatással lehetnek a nagyáramú készülékek előkészítésére. Különösen, ha nagy felületű chipeket használnak nagy áramok generálására, a kisebbségi hordozók (például elektronok vagy lyukak) élettartama jelentősen csökken. A vivő élettartamának ez a csökkenése problémás lehet a kívánt előremenő áram eléréséhez a bipoláris eszközökben, amelyeket általában nagyfeszültségű alkalmazásokban használnak. A kívánt előremenő áram eléréséhez ezekben az eszközökben a kisebbségi vivő élettartamának legalább 5 mikroszekundumnak kell lennie. Azonban a tipikus kisebbségi hordozó élettartam-paraméter aSiC epitaxiálisostya körülbelül 1-2 mikroszekundum.

 

Ezért bár aSiC epitaxiálisA folyamat elérte az érettséget, és képes megfelelni a kis- és középfeszültségű alkalmazások követelményeinek, további fejlesztésekre és műszaki kezelésekre van szükség a nagyfeszültségű alkalmazások kihívásainak leküzdéséhez. A vastagság és a doppingkoncentráció egyenletességének javítása, a háromszöghibák csökkentése és a kisebbségi hordozó élettartamának növelése olyan területek, amelyek odafigyelést és fejlesztést igényelnek ahhoz, hogy a SiC epitaxiális technológia sikeresen alkalmazható legyen a nagyfeszültségű készülékekben.