Mi az a CVD a SiC számára

A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) egy általánosan használt módszer a félvezetőgyártásban használt vékony filmek előállítására.A SiC összefüggésében a CVD a szilícium-karbid vékonyrétegek vagy bevonatok előállításának folyamatát jelenti gáz-halmazállapotú prekurzorok kémiai reakciójával egy hordozón. A SiC CVD általános lépései a következők:

Az aljzat előkészítése: Az aljzatot, általában szilícium ostyát, megtisztítják és előkészítik, hogy tiszta felületet biztosítsanak a SiC leválasztáshoz.

Prekurzor gáz előállítása: Szilíciumot és szénatomokat tartalmazó gáznemű prekurzorokat állítanak elő. A gyakori prekurzorok közé tartozik a szilán (SiH4) és a metilszilán (CH3SiH3).

A reaktor felállítása: A szubsztrátumot egy reaktorkamrába helyezik, a kamrát kiürítik, és inert gázzal, például argonnal átöblítik a szennyeződések és az oxigén eltávolítása érdekében.

Leválasztási folyamat: A prekurzor gázokat bevezetik a reaktorkamrába, ahol kémiai reakciókon mennek keresztül, és SiC keletkezik a hordozó felületén. A reakciókat jellemzően magas hőmérsékleten (800-1200 Celsius fok) és szabályozott nyomáson hajtják végre.

Film növekedés: A SiC film fokozatosan növekszik a hordozón, ahogy a prekurzor gázok reagálnak és SiC atomokat raknak le. A növekedési sebességet és a film tulajdonságait különféle folyamatparaméterek befolyásolhatják, mint például a hőmérséklet, a prekurzor koncentráció, a gáz áramlási sebessége és a nyomás.

Hűtés és utókezelés: A kívánt rétegvastagság elérése után a reaktort lehűtjük, és a SiC bevonatú szubsztrátumot eltávolítjuk. További utókezelési lépések, például lágyítás vagy felületi polírozás végezhetők a fólia tulajdonságainak javítása vagy a hibák eltávolítása érdekében.

A SiC CVD lehetővé teszi a filmvastagság, összetétel és tulajdonságok pontos szabályozását. Széles körben használják a félvezetőiparban SiC alapú elektronikus eszközök, például nagy teljesítményű tranzisztorok, diódák és érzékelők gyártására. A CVD-eljárás egyenletes és kiváló minőségű SiC filmek leválasztását teszi lehetővé, kiváló elektromos vezetőképességgel és hőstabilitással, így alkalmas különféle alkalmazásokra a teljesítményelektronikában, a repülőgépiparban, az autóiparban és más iparágakban.

Semicorex fő a CVD SiC bevonatú termékekbenostyatartó/szuszceptor, SiC alkatrészekstb.