A félvezető egysége: Angstrom

Mi az Angstrom?

Az Angstrom (szimbólum: Å) egy nagyon kicsi hosszúsági egység, elsősorban a mikroszkopikus jelenségek léptékének leírására szolgál, mint például az atomok és molekulák közötti távolságok vagy a vékony filmek vastagsága az ostyagyártás során. Egy angström egyenlő \(10^{-10}\) méterrel, ami 0,1 nanométernek (nm) felel meg.

A koncepció intuitívebb illusztrálásához vegyük figyelembe a következő analógiát: Az emberi haj átmérője körülbelül 70 000 nanométer, ami 700 000 Å-t jelent. Ha 1 métert képzelünk el a Föld átmérőjének, akkor 1 Å egy kis homokszem átmérőjéhez viszonyít a Föld felszínén.

Az integrált áramkörök gyártásában az angström különösen hasznos, mert pontos és kényelmes módot biztosít a rendkívül vékony filmrétegek, például a szilícium-oxid, a szilícium-nitrid és az adalékolt rétegek vastagságának leírására. A félvezető-feldolgozási technológia fejlődésével a vastagság szabályozásának képessége elérte az egyes atomi rétegek szintjét, így az angström nélkülözhetetlen egységgé vált a területen.

Az integrált áramkörök gyártásában az angström használata kiterjedt és döntő fontosságú. Ez a mérés jelentős szerepet játszik olyan kulcsfontosságú folyamatokban, mint a vékonyréteg-lerakódás, a maratás és az ionimplantáció. Az alábbiakban néhány tipikus forgatókönyv látható:

1. Vékonyréteg-vastagság-szabályozás

A vékonyrétegű anyagokat, például a szilícium-oxidot (SiO2) és a szilícium-nitridet (Si3N4) általában használják szigetelőrétegként, maszkrétegként vagy dielektromos rétegként a félvezetőgyártásban. Ezeknek a filmeknek a vastagsága alapvetően befolyásolja az eszköz teljesítményét.  

Például egy MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect tranzistor) kapu-oxid rétege jellemzően néhány nanométer vagy akár néhány angström vastag. Ha a réteg túl vastag, az ronthatja az eszköz teljesítményét; ha túl vékony, az tönkremenetelhez vezethet. A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) és az atomos rétegleválasztás (ALD) technológiák lehetővé teszik vékony filmrétegek angström-szintű pontosságú leválasztását, biztosítva, hogy a vastagság megfeleljen a tervezési követelményeknek.

2. Doppingellenőrzés  

Az ionimplantációs technológiában a beültetett ionok behatolási mélysége és dózisa jelentősen befolyásolja a félvezető eszközök teljesítményét. Az angströmeket gyakran használják az implantációs mélység eloszlásának leírására. Például sekély csomóponti folyamatokban a beültetési mélység akár több tíz angström is lehet.

3. Rézkarc pontossága

Száraz marásnál a maratási sebesség és a leállítási idő pontos szabályozása az angström szintig elengedhetetlen az alatta lévő anyag károsodásának elkerülése érdekében. Például egy tranzisztor kapumaratása során a túlzott maratás a teljesítmény romlását eredményezheti.

4. Atomic Layer Deposition (ALD) technológia

Az ALD egy olyan technika, amely lehetővé teszi az anyagok lerakódását egy-egy atomi rétegben, és minden ciklus általában csak 0,5-1 Å filmvastagságot képez. Ez a technológia különösen előnyös az ultravékony fóliák, például a nagy dielektromos állandójú (High-K) anyagokkal használt gate dielektrikumok készítésekor.

A Semicorex kiváló minőséget kínálfélvezető lapkák. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com