SiGe és Si szelektív rézkarc technológia

A Gate-All-Around FET (GAAFET), mint egy következő generációs tranzisztor-architektúra, amely a FinFET-et váltja fel, jelentős figyelmet kapott, mert kiváló elektrosztatikus vezérlést és nagyobb teljesítményt nyújt kisebb méreteknél. Az n-típusú GAAFET-ek gyártásának kritikus lépése a nagy szelektivitásrézkarcSiGe:Si halmok a belső távtartók lerakása előtt, szilícium nanorétegeket generálva és csatornákat felszabadítva.

Ez a cikk a válogatással foglalkozikmaratási technológiákrészt vesz ebben a folyamatban, és bevezet két új maratási módszert – a magas oxidatív gázzal járó plazmamentes maratást és az atomréteg-maratást (ALE) –, amelyek új megoldásokat kínálnak a SiGe maratás nagy pontosságának és szelektivitásának elérésére.

SiGe szuperrácsrétegek GAA-struktúrákban

A GAAFET-ek tervezésében az eszköz teljesítményének növelése érdekében váltakozó Si és SiGe rétegeket alkalmaznakszilícium hordozón epitaxiálisan növesztettük, szuperrácsként ismert többrétegű struktúrát alkotva. Ezek a SiGe rétegek nemcsak a hordozókoncentrációt állítják be, hanem feszültség bevezetésével javítják az elektronok mobilitását is. A következő folyamatlépésekben azonban ezeket a SiGe-rétegeket pontosan el kell távolítani a szilíciumrétegek megtartása mellett, ami rendkívül szelektív maratási technológiát igényel.

A SiGe szelektív maratásának módszerei

Magas oxidatív gáz plazmamentes maratás

A ClF3 gáz kiválasztása: Ez a maratási módszer extrém szelektivitással rendelkező, erősen oxidatív gázokat alkalmaz, mint például a ClF3, amelyek 1000-5000 közötti SiGe:Si szelektivitási arányt érnek el. Szobahőmérsékleten elkészíthető anélkül, hogy plazmakárosodást okozna.

Alacsony hőmérsékletű hatékonyság: Az optimális hőmérséklet 30°C körül van, alacsony hőmérsékleti körülmények között nagy szelektivitású maratást valósít meg, elkerülve a további hőköltség-növekedést, ami kulcsfontosságú az eszköz teljesítményének fenntartásához.

Száraz környezet: az egészmaratási folyamatteljesen száraz körülmények között történik, kiküszöbölve a szerkezeti tapadás kockázatát.

Atomréteg-rézkarc (ALE)

Önkorlátozó jellemzők: Az ALE egy kétlépcsős ciklikusrézkarc technológia, ahol először a maratandó anyag felületét módosítják, majd a módosított réteget eltávolítják anélkül, hogy a nem módosított részeket érintené. Minden egyes lépés önkorlátozó, így biztosítva a pontosságot, hogy egyszerre csak néhány atomréteget távolítson el.

Ciklikus maratás: A fent említett két lépést ismételten meg kell ismételni a kívánt maratási mélység eléréséig. Ez a folyamat lehetővé teszi az ALE elérésétatomi szintű precíziós maratása belső falakon lévő kis méretű üregekben.

Mi a Semicorexnél arra specializálódtunkSiC/TaC bevonatú grafit oldatokA félvezetőgyártás maratási folyamataiban alkalmazzák, ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, forduljon hozzánk bizalommal.

Elérhetőség: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com