hírek

Mi a CVD folyamat a félvezetőben?

A kémiai gőzleválasztásos CVD két vagy több gáznemű nyersanyag vákuum és magas hőmérsékletű reakciókamrába történő bevezetését jelenti, ahol a gáznemű alapanyagok egymással reakcióba lépve új anyagot képeznek, amely az ostya felületére kerül.

A fotovoltaikus ipar fejlődésének áttekintése

2027-re a fotovoltaikus napenergia (PV) megelőzi a szenet a világ legnagyobb beépített kapacitásaként. A napelem kumulatív beépített kapacitása közel háromszorosára nő előrejelzésünkben, közel 1500 gigawattal nő ebben az időszakban, és 2026-ra meghaladja a földgázt és 2027-re a szenet.

GaN ipari alkalmazások

A SiC-alapú és Si-alapú GaN alkalmazási területei nincsenek szigorúan elválasztva. A GaN-On-SiC eszközökben a SiC szubsztrát költsége viszonylag magas, és a SiC long kristály technológia egyre érettebbé válásával az eszköz ára várhatóan tovább csökken, és az erősáramú elektronikai eszközökben haszná......

A félvezető fűtőelemekről

A hőkezelés az egyik alapvető és fontos folyamat a félvezető folyamatban. A termikus folyamat az a folyamat, amikor egy ostyára hőenergiát alkalmaznak úgy, hogy meghatározott gázzal töltött környezetbe helyezik, beleértve az oxidációt/diffúziót/hevítést stb.

Kezdje meg a 3C-SiC lapka gyártását

A közelmúltban mért ömlesztett 3C-SiC hővezető képessége a második legmagasabb a hüvelyk méretű nagy kristályok között, közvetlenül a gyémánt alatt. A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávú félvezető, amelyet széles körben használnak elektronikus alkalmazásokban, és különféle kristályos formákban, p......

A Semicorex bemutatja a 8 hüvelykes SiC epitaxiális lapátot