A szilícium-karbid (SiC) kerámia egyfajta fejlett kerámiaanyag, amely kivételes tulajdonságairól és széles körű alkalmazási lehetőségeiről ismert. Szilícium (Si) és szén (C) atomokból áll, amelyek kristályrács szerkezetben vannak elrendezve, így kemény és erős anyagot eredményez, kiváló hő- és elekt......
Olvass továbbA P-típusú szilícium-karbid (SiC) lapka egy félvezető hordozó, amelyet szennyeződésekkel adalékolnak, hogy P-típusú (pozitív) vezetőképességet hozzanak létre. A szilícium-karbid egy széles sávú félvezető anyag, amely kivételes elektromos és termikus tulajdonságokkal rendelkezik, így alkalmas nagy te......
Olvass továbbA grafit szuszceptor a MOCVD berendezés egyik lényeges része, az ostyahordozó hordozója és melegítője. Az ostya epitaxiális növekedésének minőségében meghatározó szerepet játszik hőstabilitási és termikus egyenletességi tulajdonságai, amelyek közvetlenül meghatározzák a réteganyagok egyenletességét ......
Olvass továbbA nagyfeszültségű területen, különösen a 20 000 V feletti nagyfeszültségű eszközök esetében, a SiC epitaxiális technológia továbbra is számos kihívással néz szembe. Az egyik fő nehézség a magas egyenletesség, vastagság és adalékolási koncentráció elérése az epitaxiális rétegben. Az ilyen nagyfeszült......
Olvass tovább