> hírek

hírek

Kiváló minőségű SiC kristálynövekedés elérése a hőmérséklet gradiens szabályozásával a kezdeti növekedési fázisban

A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávú félvezető anyag, amely az elmúlt években jelentős figyelmet kapott a nagyfeszültségű és magas hőmérsékletű alkalmazásokban nyújtott kivételes teljesítménye miatt. Ez a tanulmány szisztematikusan feltárja a módosított eljárási körülmények között termesztett Si......

Olvass tovább

Mi az a termikus izzítás

A hőkezelési eljárás, más néven termikus izzítás, a félvezetőgyártás döntő lépése.

Olvass tovább

Tanulmány a reakciószinterezett SiC kerámiákról és tulajdonságaikról

A szilícium-karbid (SiC) a szilícium és a szénatomok közötti kovalens kötésekből származó vegyület, amely kiváló kopásállóságáról, hősokkállóságáról, korrózióállóságáról és magas hővezető képességéről ismert.

Olvass tovább

Miért érdemes ultrahangos tisztítást használni a félvezetőgyártásban?

Az ostyák tisztítása során általában ultrahangos és megasonic tisztítást alkalmaznak a részecskék eltávolítására az ostya felületéről.

Olvass tovább

Hogyan alkalmazzák a szilícium-karbid kerámiát, és mi a jövője a kopás- és magas hőmérséklet-állóságban?

A szilícium-karbid (SiC) kerámiák, amelyek nagy szilárdságukról, keménységükről, kopásállóságukról, korrózióállóságukról és magas hőmérsékleti stabilitásukról ismertek, bevezetésük óta hatalmas potenciált és értéket mutattak számos ipari ágazatban.

Olvass tovább

Tanulmány az elektromos ellenállás eloszlásáról n-típusú 4H-SiC kristályokban

A 4H-SiC, mint harmadik generációs félvezető anyag, széles sávszélességéről, magas hővezető képességéről, valamint kiváló kémiai és termikus stabilitásáról híres, így rendkívül értékes a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokban.

Olvass tovább

<...28 29 30 31 32...57 >