- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
hírek
Porózus grafit kiváló minőségű SiC kristálynövekedéshez PVT módszerrel
A szilícium-karbid (SiC) kulcsfontosságú anyaggá vált a félvezető-technológia területén, és olyan kivételes tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek rendkívül kívánatossá teszik különféle elektronikai és optoelektronikai alkalmazásokhoz. A kiváló minőségű SiC egykristályok előállítása döntő fontosságú ......
Olvass tovább
3 grafitformázási módszer
A grafitöntéshez a négy fő öntési módszer a következő: extrudálás, fröccsöntés, vibrációs öntés és izosztatikus öntés. A piacon kapható legtöbb szén- és grafitanyagot forró extrudálással és fröccsöntéssel (hideg vagy meleg) öntik, és az izosztatikus öntés a vezető fröccsöntési teljesítményű módszer.......
Olvass tovább
Mi az izosztatikus grafit?
A speciális grafit a 99,99%-nál nagyobb széntömegű grafit, más néven "három nagy grafit" (nagy szilárdság, nagy sűrűség, nagy tisztaság). Nagy szilárdság, nagy sűrűség, nagy tisztaság, nagy kémiai stabilitás, magas hő- és elektromos vezetőképesség, magas hőmérséklet-állóság, sugárzásállóság, erős ke......
Olvass tovább
Bemutatkozik a fizikai gőzszállítás (PVT)
A SiC saját tulajdonságai határozzák meg, hogy az egykristály növekedése nehezebb. Az atmoszférikus nyomáson lévő Si:C=1:1 folyadékfázis hiánya miatt a félvezetőipar fő áramlata által alkalmazott érettebb növekedési folyamat nem használható az érettebb növekedési módszer – egyenes húzás módszer, a l......
Olvass tovább
Megjelent a 850 V-os nagy teljesítményű GaN HEMT epitaxiális termékek
2023 novemberében a Semicorex kiadta a 850 V-os GaN-on-Si epitaxiális termékeket nagyfeszültségű, nagyáramú HEMT tápegység-alkalmazásokhoz. A HMET tápegységek más hordozóihoz képest a GaN-on-Si nagyobb szeletméreteket és változatosabb alkalmazásokat tesz lehetővé, valamint gyorsan beilleszthető a fő......
Olvass tovább
Mi az a C/C kompozit?
A C/C kompozit egy szén-szén kompozit anyag, amely erősítésként szénszálakból és feldolgozás és karbonizálás révén mátrixként szénből készül, kiváló mechanikai és magas hőmérsékleti ellenálló képességgel. Az anyagot kezdetben az űrhajózásban és speciális területeken használták, majd a technológia ér......
Olvass tovább
