Lemez az epitaxiális növekedéshez

A Semicorex Plate for Epitaxialis Growth kritikus elem, amelyet kifejezetten az epitaxiális folyamatok bonyolultságára terveztek. A különböző specifikációknak és preferenciáknak megfelelően testreszabható kínálatunk egy személyre szabott megoldást kínál, amely tökéletesen illeszkedik az Ön egyedi működési igényeihez. Egy sor testreszabási lehetőséget kínálunk, a méretváltoztatástól a bevonat alkalmazásának variációiig, így felkészítünk minket arra, hogy olyan terméket tervezzünk és szállítsunk, amely képes a teljesítmény fokozására különböző alkalmazási forgatókönyvekben. Mi, a Semicorex elkötelezett az epitaxiális növekedéshez szükséges nagy teljesítményű lemezek gyártása és szállítása, amelyek ötvözik a minőséget a költséghatékonysággal.

Kérdés küldése

termékleírás

Az epitaxiális növekedéshez készült Semicorex lemez, amelyet arra a precíz feladatra terveztek, hogy félvezető lapkákat támogasson az epitaxiális rétegképzés során, nélkülözhetetlen a fém-szerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) rendszerekben. Stratégiai szerepe, hogy elősegítse az epitaxiális fóliák egyenletes és szabályozott terjeszkedését, egyenletes minőséget biztosítva az ostya felületén.

1. A tartósságot szem előtt tartva kialakított Plate for Epitaxial Growth szilárd platformot biztosít, amely csökkenti az ostya elmozdulásának vagy károsodásának valószínűségét, így védi az ostyák integritását az epitaxiális filmfejlődés érzékeny fázisaiban. A Plate for Epitaxial Growth nemcsak támaszként működik, hanem pajzsként is szolgál az alatta lévő grafit számára az epitaxia során esetlegesen fellépő agresszív kémiai reakciók és kopás ellen.

2. A SiC bevonat beépítése a Plate for Epitaxialis Growth lemezre jelentősen javítja annak termikus tulajdonságait, lehetővé téve a gyors és kiegyensúlyozott hőeloszlást, ami elengedhetetlen az egyenletes epitaxiális réteg kialakulásához. A Plate for Epitaxial Growth azon képessége, hogy egyenletesen elnyeli és kibocsátja a hőt, hőstabil környezetet biztosít, amely elősegíti a vékony filmek pontos lerakódását – ez alapvető tényező a kiváló minőségű epitaxiális rétegek előállításában, amelyen a fejlett félvezetők hatékonysága és megbízhatósága függ.

3. A finom SiC kristályokkal bevont Plate for Epitaxial Growth hibátlanul sima felületet kínál, amely elengedhetetlen az ostyák finom kezeléséhez. Ez az érintetlen interfész minimálisra csökkenti a lehetséges felületi szennyeződéseket, mivel az ostyák kiterjedten érintkeznek a lemezen az epitaxiális növekedés érdekében a folyamat során.

Összefoglalva, a Semicorex Plate Epitaxiális növekedéshez való kihasználása stabil teljesítményt és meghosszabbított élettartamot ígér, csökkentve a csereigények gyakoriságát. A Plate for Epitaxial Growth jelentősen megnöveli a kimeneti kalibert, így csökkenti az üzemi állásidőt és a karbantartási költségeket, miközben növeli a termelés hatékonyságát.**