Porózus grafit anyagok egykristályos SiC növekedési alkalmazásokhoz

A Semicorex porózus grafit anyagokat úgy tervezték, hogy megfeleljenek a SiC kristálynövekedési alkalmazások szigorú követelményeinek. A precízen megtervezett és a teljesítményre kidolgozott anyagok kulcsfontosságúak a páratlan minőségű és tisztaságú, kiváló SiC kristályok elérésében.

Jellemzők:

Optimalizált porozitás: Porózus grafit anyagaink pontosan szabályozott porozitási szintekkel büszkélkedhetnek, hogy megkönnyítsék az egykristályos SiC növekedését. A pórusok egyenletes eloszlása ​​egyenletes és megbízható eredményeket biztosít.

Magas hővezető képesség: A SiC növekedési folyamat során a hatékony hőátadás érdekében anyagainkat magas hővezető képességgel tervezték, csökkentve a hőmérsékleti gradienst és minimalizálva a kristályhibákat.

Kémiai tehetetlenség: A kemény vegyi környezettel szembeni ellenállás a legfontosabb a kristálynövekedési alkalmazásokban. Anyagaink kivételesen kémiailag semlegesek, biztosítva, hogy stabilak maradjanak, és ne befolyásolja őket a SiC növekedési folyamatok korrozív természete.

Mechanikai stabilitás: A hosszú élettartamra tervezett anyagok kivételes mechanikai stabilitást mutatnak, minimálisra csökkentve a deformáció vagy sérülés kockázatát a hosszabb használat során.

Testreszabhatóság: Tisztában vagyunk azzal, hogy a különböző kristálynövekedési folyamatoknak egyedi követelményei vannak. Ezért kínálunk egy sor testreszabási lehetőséget, beleértve a különböző porozitási szintet, méretet és formát, hogy anyagainkat az Ön egyedi igényeihez szabhassuk.