SiC bevonatú grafittégelyek

Magas hőmérsékletű kristálynövesztő kemencék közepére telepítve,SiC bevonatúA grafittégelyek fűtőtestekkel, hőszigetelő hüvelyekkel, áramlásvezető csövekkel és tégelytengelyekkel együttműködve alkotják a teljes hőtérrendszert. Ez a termikus térrendszer stabil, magas hőmérsékletű környezetet tud fenntartani, amely elengedhetetlen a kristálynövekedéshez.

SiC bevonatú gyártásgrafittégelyekáltalában a fejlett kémiai gőzleválasztási technológia használatával kezdődik, hogy egyenletesen lerakják a sűrűszilícium-karbidbevonat a kialakult grafit szubsztrátum felületére. Nagy tisztaságú anyagból állgrafitA hordozó és a sűrű szilícium-karbid bevonat, a SiC bevonatú grafittégely szinergikus szerkezetet alkot, amely egyesíti a grafit hővezető képességét a szilícium-karbid korrózióállóságával.

A Czochralski módszer a kristálynövekedés univerzális ipari technikája. Ez a technika centrifugális erőt fejt ki a tégelyre a kristálygyártás során. A SiC-bevonatú grafittégelyek kiváló hajlítószilárdsága és szívóssága megakadályozhatja a törést vagy repedést a nagy sebességű forgás során, hatékonyan csökkentve a tégely sérülése által okozott termelési megszakításokat. Ezenkívül a tégelyeknek rövid időn belül drasztikus hőmérséklet-ingadozásokon kell átesnie a folyamat során. Figyelemre méltó hősokkállóságuknak köszönhetően a SiC bevonatú grafittégelyek csökkenthetik a termikus igénybevételből eredő szerkezeti károsodásokat, biztosítják alakjuk stabilitását, ezáltal csökkentve a tégely deformációjából adódó kristálynövekedési hibákat.

Magas hőmérsékleten a SiC bevonatú grafittégelyek sűrű szilícium-karbid védőréteget képeznek. Ez a védőréteg el tudja szigetelni a grafit szubsztrátumot a szilíciumgőztől és az olvadt szilíciumtól, ezáltal minimálisra csökkenti a grafit szubsztrát korrózióját és a bevonat leválásával kapcsolatos kristályszennyeződés kockázatát. Ezért a Semicorex SiC-bevonatú grafittégelyei a tényleges működés során hosszabb ideig ellenállnak a különféle összetett, magas hőmérsékletű korróziós környezeteknek. Ez biztosítja a konzisztens kristályösszetételt és csökkenti a hibaarányt, ami mindkettő elengedhetetlen a kiváló minőségű félvezető kristályok előállításához.