SiC bevonatú Halfmoon alkatrészek

A Halfmoon Parts, amelyek prémium szilícium-karbiddal (SiC) vannak bevonva, az epitaxiás folyamatok lényeges jellemzői mind lapkahordozóként, mind hővezetőként. Speciális félhold alakjuk lehetővé teszi a hengeres formába való összeszerelést, amely az epitaxiális reaktorokon belüli rögzítésként szolgál. A kamrában vagy a reaktorkörnyezetben az ostyákat rögzíteni kell, de egyenletesen melegíteni kell, amíg a kritikus vékonyréteg-lerakódás megtörténik. A SiC bevonatú Halfmoon Parts a megfelelő mennyiségű mechanikai támasztást, hőstabilitást és kémiai tartósságot biztosít e feladatok elvégzéséhez.

Grafita Halfmoon Parts hordozóanyaga, és nagyon jó hővezető képessége és viszonylag kis súlya és szilárdsága miatt választották. A grafit felületét sűrű, nagy tisztaságú vegyi gőzzel leválasztott szilícium-karbid (CVD SiC) felület borítja, hogy ellenálljon az epitaxiális növekedéssel járó agresszív környezetnek. A SiC bevonat javítja az alkatrészek felületi keménységét, és ellenáll az olyan reakcióképes gázoknak, mint a hidrogén és a klór, jó hosszú távú stabilitást és nagyon korlátozott szennyeződést biztosít a feldolgozás során. A grafit és a SiC együtt működik a Halfmoon Parts-ban, hogy megfelelő egyensúlyt biztosítson a mechanikai szilárdság és a kémiai és termikus tulajdonságok között.

Az egyik legfontosabb szerepe aSiC bevonattalA Halfmoon Parts az ostyák támogatása. Az ostyák várhatóan laposak és stabilak a teljes epitaxia során, hogy elősegítsék a rácsszerkezet egyenletes növekedését a kristályos rétegekben. A támasztó részek bármilyen fokú hajlítása vagy instabilitása hibás rétegeket hozhat létre az epitaxiában, és végső soron befolyásolhatja az eszköz teljesítményét. A Halfmoon alkatrészeket gondosan gyártják a maximális méretstabilitás érdekében magas hőmérsékleten, hogy korlátozzák a vetemedés lehetőségét és megfelelő szelet elhelyezést biztosítsanak bármely adott epitaxiális recept szerint. Ez a szerkezeti integritás jobb epitaxiális minőséget és nagyobb hozamot eredményez.

A Halfmoon Parts ugyanolyan fontos funkciója a hővezetés. Az epitaxiális kamrában az egyenletes, állandósult hővezető képesség kulcsfontosságú a kiváló minőségű vékony filmek előállításához. A grafit mag ideálisan alkalmas a hővezető képességre, hogy segítse a melegítési folyamatot és elősegítse az egyenletes hőmérsékleteloszlást. A SiC bevonat megvédi a magot a hőfáradástól, a lebomlástól és a folyamat közbeni szennyeződéstől. Ezért az ostyák egyenletesen melegíthetők, hogy egyenletes hőmérséklet-átadást érjünk el, és elősegítsük a hibamentes epitaxiális rétegek kialakulását. Más szavakkal, a vékonyréteg-növekedési folyamatokhoz, amelyek speciális hőviszonyokat igényelnek, a SiC bevonatú Halfmoon Parts hatékonyságot és megbízhatóságot egyaránt kínál. A hosszú élettartam az alkatrészek kulcsfontosságú szempontja. Az epitaxia gyakran hőciklusból áll magasabb hőmérsékleten, amely meghaladja azt, amit a közönséges építőanyagok lebomlás nélkül kibírnak.

A tisztaság egy másik fontos előny. Mivel az epitaxia nagyon érzékeny a szennyeződésekre, a kivételesen nagy tisztaságú CVD SiC bevonat kiküszöböli a reakciókamrából a szennyeződést. Ez minimálisra csökkenti a részecskeképződést, és megvédi az ostyákat a hibáktól. Az eszközök geometriájának folyamatos leépítése és az epitaxiális folyamatkövetelmények folyamatos szűkítése a szennyeződés-ellenőrzést kulcsfontosságúvá teszi az egyenletes gyártási minőség biztosításához.

A Semicorex SiC bevonatú Halfmoon Parts nem csak a tisztasági szempontokat kezeli, hanem rugalmasak is, és beállíthatók a különböző epitaxiális rendszerkonfigurációkhoz. Bizonyos méretekben, bevonatvastagságban és olyan kivitelben/tűrésben is gyárthatók, amely elméletileg illeszkedik az igényes berendezéshez. Ez a rugalmasság elősegíti annak biztosítását, hogy a meglévő berendezések zökkenőmentesen integrálhatók legyenek, és fenntartsák a legkedvezőbb folyamat-kompatibilitást.