A Semicorex SiC Focus Ring egy nagy tisztaságú szilícium-karbid gyűrűelem, amelyet a plazmaeloszlás és a lapkafolyamatok egyenletességének optimalizálására terveztek a félvezetőgyártásban. A Semicorex választása állandó minőséget, fejlett anyagtervezést és megbízható teljesítményt jelent, amelyekben a világ vezető félvezetőgyárai bíznak.*
A Semicorex SiC Focus Ring egy precíziós tervezésű, gyűrű alakú alkatrész, amelyet nagy tisztaságú szilícium-karbidból gyártanak. A SiC Focus Ringet fejlett félvezető-feldolgozási alkalmazásokhoz tervezték. A nagy tisztaságú szilícium-karbid kiváló teljesítményt nyújt a termikus stabilitás (magas olvadáspont), a mechanikai tartósság (nagy keménység) és az elektromos vezetési tulajdonságok tekintetében, ami kritikus fontosságú számos új generációs lapkagyártási technológia specifikációinak megfeleléshez. A SiC Focus Ring a plazmamaratási és leválasztókamra-alkatrészekben található összetevők, és alapvető szerepet játszanak a plazmaeloszlás szabályozásában, az ostya egyenletességének elérésében és a tömeggyártásban.
A SiC Focus Ring anyagtisztasága és elektromos teljesítménye az egyik legkritikusabb tényező, amely meghatározza ezt az alkatrészt, és megkülönbözteti a kerámia anyagoktól. Nagy tisztaságúszilícium-karbideltér a hagyományos kerámia anyagoktól, mivel kombinációját biztosítja
keménység, valamint számos vegyszerrel szembeni ellenállás és egyedi elektromos tulajdonságok. Ami még fontosabb, a nagy tisztaságú szilícium-karbid adalékanyagokkal és feldolgozási módszerekkel megtervezhető a legmegfelelőbb vezető vagy sértő teljesítmény elérése érdekében a plazmával való kölcsönhatáshoz ideális félvezető egyensúly mellett, ami lehetővé teszi a stabil teljesítményt nagy energiájú környezetben, ahol a töltés felhalmozódása és az elektromos kiegyensúlyozatlanság nagyobb valószínűséggel okoz folyamathibákat.
A plazma élhatása miatt a sűrűség középen nagyobb, a széleken kisebb. A fókuszgyűrű a gyűrű alakú alakja és a CVD SiC anyagtulajdonságai révén specifikus elektromos mezőt hoz létre. Ez a mező vezeti és korlátozza a plazmában lévő töltött részecskéket (ionokat és elektronokat) a lapka felületére, különösen a szélére. Ez hatékonyan növeli a plazmasűrűséget a széleken, és közelebb hozza azt a középsőhöz. Ez jelentősen javítja a maratási egyenletességet az ostyán, csökkenti az élek sérülését és növeli a hozamot.
A Mercury Manufacturing kifinomult megmunkálási és polírozási eljárásokkal dolgozza fel a SiC Focus Ring-et, amely szűk mérettűrést és sima felületkezelést tesz lehetővé. Ezeknek az alkatrészeknek a méretpontossága lehetővé teszi a kompatibilitást a különböző félvezető berendezések beszállítóival, így biztosítva a felcserélhetőséget számos plazmamarás és -felhordó rendszer között. Egyedi kialakítások is kifejleszthetők, hogy megfeleljenek a speciális folyamatkövetelményeknek, beleértve a gyűrű vastagságát, a belső és külső átmérőt, valamint a felületi vezetőképesség szintjét.
A SiC Focus Ring alkalmazásai a félvezetőgyártás széles skáláját fedik le: DRAM, NAND flash, logikai eszközök és új teljesítmény-félvezető technológiák. Ahogy az eszközök geometriája zsugorodik, és folyamatosan halad a folyamat csomópontokon, a rendkívül megbízható, stabil kamraelemek, például a SiC Focus Ring iránti igény kritikussá válik. A SiC Focus Ring pontos vezérlést tesz lehetővé a plazmában, és folyamatosan javítja az ostya minőségét, elősegítve az iparág törekvéseit az egyre kisebb, gyorsabb és hatékonyabb elektronikus eszközök felé. A Semicorex SiC Focus Ring az anyagtudomány, a precíziós tervezés és a félvezető folyamatok fejlődésének metszéspontját határozza meg. A SiC Focus Ring kiváló termikus stabilitással, kiváló vegyszerállósággal és közel specifikus elektromos vezetőképességgel rendelkezik. Ezek a tulajdonságok kritikus összetevővé teszik a folyamatok során a megbízhatóság és a hozam biztosításában.