SiC gázelosztó lemez

A félvezető epitaxiás eljárásokban a gázáramlás egyenletessége az egyik legkritikusabb tényező, amely befolyásolja a film minőségét, a vastagság konzisztenciáját és a lapka hozamát. A SiC gázelosztó lemezt, amelyet gyakran zuhanyfejnek is neveznek, kifejezetten úgy tervezték, hogy a folyamatgázokat egyenletesen ossza el az ostya felületén, miközben megőrzi a stabilitást szélsőséges folyamatkörülmények között.

A Semicorex SiC gázelosztó lemezeket 1400 °C feletti magas hőmérsékletű szilícium epitaxiás reaktorokhoz tervezték. Nagy tisztaságú izotróp grafit szubsztrátumok felhasználásával készült, és sűrű réteggel védettChemical Vapor Deposition (CVD) szilícium-karbid bevonatEzek az alkatrészek kivételes korrózióállóságot, szennyeződés elleni védelmet és hosszú távú megbízhatóságot biztosítanak igényes félvezető környezetben.

CVD SiC bevonat technológia

A SiC gázelosztó lemez fő előnye a fejlett bevonattechnológiában rejlik.

Nagy tisztaságú szilícium-karbid réteget helyeznek fel az izotróp grafit felületére kémiai gőzleválasztási (CVD) eljárással. Ez a bevonat sűrű és rendkívül egyenletes védőréteget képez, amely jelentősen javítja az alkatrészek teljesítményét agresszív folyamatkörülmények között.

A bevonat tipikus jellemzői a következők:

Bevonat vastagsága: kb. 100 μm

Állítható vastagsági tartomány: 40-200 μm

Magas bevonat sűrűség

Kiváló vastagsági egyenletesség

Erős tapadás a grafit felülethez

Ultra-nagy tisztaságú felület

A CVD SiC réteg hatékonyan elszigeteli a grafit alapanyagot a reakcióképes technológiai gázoktól, jelentősen javítva a korrózióállóságot és az élettartamot.

A grafit szubsztrátum védelme

A grafitot széles körben használják epitaxiás berendezésekben, mivel kiváló termikus tulajdonságai és szélsőséges hőmérsékleteknek ellenáll. A védetlen grafit azonban érzékeny az erózióra és a vegyi támadásokra, ha hosszú távú ki van téve a technológiai gázoknak.

A grafit lebomlása során olyan részecskéket képezhet, amelyek szennyezik az ostyákat, és negatívan befolyásolják az eszköz hozamát.

A CVD SiC bevonat több védelmi funkciót is ellát:

Megakadályozza a grafit közvetlen érintkezését reaktív gázokkal

Csökkenti a részecskeképződést

Javítja a kémiai maratással szembeni ellenállást

Meghosszabbítja az alkatrészek élettartamát

Fenntartja a kamra tisztaságát

Ez a védelem egyre fontosabbá válik a fejlett félvezetőgyártásban, ahol még a mikroszkopikus szennyeződések is befolyásolhatják a termék minőségét.

Precíziós gyártás és testreszabás

A Semicorex SiC gázelosztó lemezeket gyárt a mérettűrések, a bevonat egyenletessége és a furatok geometriájának szigorú ellenőrzésével.

A testreszabási lehetőségek a következők:

8 hüvelykes reaktorplatformok

12 hüvelykes reaktorplatformok

Egyedi átmérők

Egyedi furatminták

Alkalmazás-specifikus gázelosztási tervek

Változó bevonatvastagság követelmények

Speciális szerelési jellemzők

Ez a rugalmasság lehetővé teszi a különböző reaktorarchitektúrák és folyamatfeltételek optimalizálását.

Alkalmazások

A SiC gázelosztó lemezeket széles körben használják:

• Szilícium epitaxiás rendszerek
• Félvezető CVD reaktorok
• Magas hőmérsékletű lerakó berendezések
• Fejlett ostyafeldolgozó rendszerek
• Erőteljes félvezető gyártás
• Összetett félvezető gyártás

Az a képességük, hogy kombinálják a gázáramlás szabályozását a szennyeződésekkel szembeni ellenállással, a modern félvezetőgyártás kritikus elemévé teszik őket.