SiC Multi Pocket Receiver

A Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor alapja egy rendkívül nagy tisztaságú izotróp grafit, amely hőstabilitásáról és hősokkállóságáról híres. Ezt az alapanyagot tovább javítja a gondosan ellenőrzött CVD-vel leválasztott SiC bevonat. Ez a kombináció a tulajdonságok egyedülálló szinergiáját biztosítja:

Páratlan vegyszerállóság:A SiC felületi réteg kivételes ellenállást mutat az oxidációval, korrózióval és vegyi támadásokkal szemben még az epitaxiális növekedési folyamatokkal együtt járó magasabb hőmérsékleten is. Ez a tehetetlenség biztosítja a SiC Multi Pocket Susceptor szerkezeti integritásának és felületi minőségének megőrzését, minimalizálva a szennyeződés kockázatát és meghosszabbítva a működési élettartamot.

Kivételes hőstabilitás és egyenletesség:Az izotróp grafit belső stabilitása az egyenletes SiC bevonattal párosulva garantálja az egyenletes hőeloszlást a szuszceptor felületén. Ez az egyenletesség rendkívül fontos a homogén hőmérsékleti profilok elérésében az ostyán az epitaxia során, ami közvetlenül a kiváló kristálynövekedést és a film egyenletességét eredményezi.

Fokozott folyamathatékonyság:A SiC Multi Pocket Susceptor robusztussága és hosszú élettartama hozzájárul a folyamatok hatékonyságának növeléséhez. A tisztításhoz vagy cseréhez szükséges rövidebb állásidő nagyobb áteresztőképességet és alacsonyabb teljes birtoklási költséget jelent, ami kulcsfontosságú tényező az igényes félvezető-gyártási környezetben.

A SiC Multi Pocket Susceptor kiváló tulajdonságai közvetlenül kézzelfogható előnyökkel járnak az epitaxiális lapkagyártásban:

Továbbfejlesztett ostyaminőség:A fokozott hőmérsékleti egyenletesség és kémiai tehetetlenség hozzájárul a hibák csökkenéséhez és a kristályminőség javulásához az epitaxiális rétegben. Ez közvetlenül a végső félvezető eszközök jobb teljesítményét és hozamát jelenti.

Megnövelt eszközteljesítmény:Az adalékolási profilok és rétegvastagságok pontos szabályozásának képessége az epitaxia során kulcsfontosságú az eszköz teljesítményének optimalizálásához. A SiC Multi Pocket Susceptor által biztosított stabil és egységes platform lehetővé teszi a gyártók számára, hogy finomhangolják az eszközök jellemzőit az adott alkalmazásokhoz.

Speciális alkalmazások engedélyezése:Ahogy a félvezetőipar a kisebb geometriák és összetettebb architektúrák felé törekszik, a nagy teljesítményű epitaxiális lapkák iránti kereslet folyamatosan növekszik. A Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor kulcsfontosságú szerepet játszik ezeknek a fejlesztéseknek az lehetővé tételében, mivel biztosítja a szükséges platformot a precíz és megismételhető epitaxiális növekedéshez.