Vevő lemez

A Semicorex Susceptor Disc egy nélkülözhetetlen eszköz a fém-szerves kémiai gőzleválasztásban (MOCVD), amelyet kifejezetten félvezető lapkák alátámasztására és melegítésére terveztek az epitaxiális réteglerakódás kritikus folyamata során. A Susceptor Disc fontos szerepet játszik a félvezető eszközök gyártásában, ahol a precíz rétegnövekedés a legfontosabb. A Semicorex elkötelezettsége a piacvezető minőség iránt, valamint a versenyképes fiskális megfontolások megerősíti azon törekvésünket, hogy partnerkapcsolatokat alakítsunk ki a félvezető lapkák szállítására vonatkozó követelmények teljesítése érdekében.

Kérdés küldése

termékleírás

A nagy tisztaságú grafitból készült és MOCVD technikával szilícium-karbid réteggel (SiC) bevont Semicorex Susceptor Disc kivételes termikus tulajdonságokat és figyelemre méltó kémiai stabilitást ötvöz. A szilícium-karbid bevonat kiváló ellenállást biztosít a magas hőmérsékletekkel és a korrozív körülményekkel szemben, ami kulcsfontosságú a Susceptor Disc épségének megőrzéséhez kihívást jelentő környezetben.

Ezenkívül a Susceptor Disc SiC bevonata növeli a hővezető képességét, ami lehetővé teszi a gyors és egyenletes hőeloszlást, ami kritikus az egyenletes epitaxiális növekedéshez. Hatékonyan nyeli el és sugározza ki a hőt, így stabil, egyenletes hőmérsékletet biztosít, ami elengedhetetlen a vékonyrétegek lerakódásához. Ez az egységesség létfontosságú a kiváló minőségű epitaxiális rétegek eléréséhez, amelyek alapvetőek a fejlett félvezető eszközök funkcionalitása és teljesítménye szempontjából.

A Susceptor Disc kialakítása a hőtágulás kihívásával is foglalkozik. Minimális hőtágulási együtthatója erős kötést biztosít az epitaxiális rétegekkel, csökkentve a hőciklus miatti repedések kockázatát. Ez a tulajdonság a Susceptor Disc magas olvadáspontjával és kiváló oxidációs ellenállásával párosulva megbízható működést tesz lehetővé extrém körülmények között is.

Ezekkel a fejlett tulajdonságokkal a Susceptor Disc nemcsak megfelel, hanem túl is teljesíti a modern MOCVD alkalmazások szigorú követelményeit, megbízható, nagy teljesítményű megoldást kínálva, amely javítja az epitaxiális növekedési folyamat általános hatékonyságát és teljesítményét.