Vevőlemez

A Semicorex Susceptor Plate az epitaxiális növekedési folyamat kulcsfontosságú összetevője, amelyet kifejezetten félvezető lapkák szállítására terveztek vékony filmek vagy rétegek lerakása során. A fém-szerves kémiai gőzleválasztás (MOCVD) összefüggésében ezek a lemezek különösen olyan anyagokból készültek, amelyek ellenállnak a magas hőmérsékletnek, és stabil felületet biztosítanak az epitaxiális rétegek növekedéséhez.

Az ebben az eljárásban használt Susceptor Plate grafitból készül, amelyet szilícium-karbiddal (SiC) vonnak be maga a MOCVD eljárás. A szilícium-karbid kivételes termikus stabilitást, mechanikai szilárdságot és kémiai reakciókkal szembeni ellenállást kínál, így ideális választás az epitaxiális növekedés igényes körülményeihez.

A MOCVD során a Susceptor Plate kulcsszerepet játszik azáltal, hogy hatékonyan adja át a hőt a félvezető lapkáknak. A lemez elnyeli az energiát a környező környezetből és kisugározza azt az ostyák felé, megkönnyítve a vékony filmek szabályozott lerakódását az ostya felületére. Ez a precíz hőmérsékletszabályozás elengedhetetlen az egységes és jó minőségű epitaxiális rétegek eléréséhez, amelyek kulcsfontosságúak a fejlett félvezető eszközök gyártásában.

A SiC bevonatú grafitból készült Susceptor Plate a MOCVD-eljárásokban megbízható platformként szolgál a félvezető lapkák alátámasztására, biztosítva az optimális hőátadást, és hozzájárul a félvezető alkalmazásokhoz kívánt tulajdonságokkal rendelkező vékony filmek sikeres epitaxiális növekedéséhez.