> Termékek > Ostya > SiC szubsztrát > 4" 6" nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvény

Termékek

új termékek

4" 6" nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvény

A Semicorex nagy tisztaságú félszigetelő SiC tömböt kínál 4 hüvelykkel és 6 hüvelykkel. Évek óta gyártunk és szállítunk ostyákat. A 4" 6" nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvényünk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A 4" 6" nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvényünk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

4 hüvelykes, félig szigetelő SiC öntvény specifikációja
Elemek	Gyártási fokozat	Dummy Grade
Politípus	4H
Ellenállás/ohm ·cm	NA
Átmérő	100,25±0,25 mm
Vastagság	¥15 mm
Felületi tájolási hiba	0±0,2°
Elsődleges lapos tájolás	[1-100]±5,0°
Elsődleges lapos hossz	32,5±1,5 mm
Másodlagos lakás	90,0°CW az elsődlegestől ±5,0°, szilícium oldallal felfelé
Másodlagos lapos hossz	17±1,5 mm
Mikrocső sűrűsége	â¤ 1 e/cm2	â¤ 10 e/cm2
Élrepedések	¤3 eaï¼â¤1mm/db	5 eaï¼â¤ 3mm/db
Politípus területek	Egyik sem	â¤5% terület
Élbehúzások	¤3 eaï¼â¤1mm szélesség és mélység	â¤5 eaï¼â¤2mm szélesség és mélység
Címke	C-arcú
Csomagolás	egység-ingot kazetta, vákuumcsomagolás

6 hüvelykes félszigetelő SiC öntvény specifikációja
Elemek	Gyártási fokozat	Dummy Grade
Politípus	4H
Ellenállás/ohm ·cm	NA
Átmérő	150,25±0,25 mm
Vastagság	¥10 mm
Felületi tájolási hiba	0±0,25°
Bevágás tájolás	[1-100]±5,0°
Bevágás mélysége	1-1,25 mm
Mikrocső sűrűsége	â¤ 1 e/cm2	â¤ 10 e/cm2
Élrepedések	¤3 eaï¼â¤1mm/db	5 eaï¼â¤ 3mm/db
Politípus területek	Egyik sem	â¤5% terület
Élbehúzások	¤3 eaï¼â¤1mm szélesség és mélység	â¤5 eaï¼â¤2mm szélesség és mélység
Címke	C-arcú
Csomagolás	egység-ingot kazetta, vákuumcsomagolás