P-típusú SiC szubsztrát szelet

A Semicorex teljes szilícium-karbid (SiC) ostya termékcsaláddal rendelkezik, amely 4H és 6H szubsztrátumokat tartalmaz N-típusú, P-típusú és nagy tisztaságú félszigetelő lapkákkal, ezek lehetnek epitaxiával vagy anélkül.

A Semicorex P-típusú SiC szubsztrát ostya dupla polírozott felülettel rendelkezik, amely kiváló simaságot és felületi minőséget biztosít. Ez a funkció kulcsfontosságú a félvezető anyagok következetes és pontos lerakódásának biztosításához az eszközgyártás során.

A P-típusú SiC szubsztrát ostyánk kiváló elektromos vezetőképességet biztosít, így ideális hordozóanyag a magas hőmérsékletű és nagy teljesítményű elektronikai eszközökhöz. Egyedülálló tulajdonságai lehetővé teszik, hogy jól teljesít zord környezetben, beleértve a magas hőmérsékletet, a magas sugárzást és a korrozív körülményeket.