4" gallium-oxid szubsztrátok

A Semicorex 4" gallium-oxid szubsztrátok kiváló kémiai és termikus stabilitást mutatnak, így biztosítják, hogy teljesítménye egyenletes és megbízható maradjon még szélsőséges körülmények között is. Ez a robusztusság kulcsfontosságú a magas hőmérsékletű és reaktív környezetekben előforduló alkalmazásokban. Ráadásul a 4" gallium-oxid szubsztrátok kiváló optikai átlátszóságot biztosítanak széles hullámhossz-tartományban az ultraibolya sugárzástól az infravörösig, ami vonzóvá teszi az optoelektronikai alkalmazásokhoz, beleértve a fénykibocsátó diódákat és a lézerdiódákat.

A 4,7 és 4,9 eV közötti sávszélességgel a 4"-es gallium-oxid szubsztrátok kritikus elektromos térerősségben jelentősen felülmúlják a szilícium-karbidot (SiC) és a gallium-nitridet (GaN), akár 8 MV/cm-t is elérve a SiC 2,5 MV/cm-éhez képest. A GaN 3,3 MV/cm Ez a tulajdonság a 250 cm²/Vs-os elektronmozgással és az áramvezetés fokozott átlátszóságával együtt jelentős előnyt jelent a 4"-es gallium-oxid szubsztrátumoknak a teljesítményelektronikában. A Baliga érdemi értéke meghaladja a 3000-et, többszöröse a GaN-é és a SiC-énak, ami az energiaalkalmazások kiváló hatékonyságát jelzi.

A Semicorex 4" gallium-oxid szubsztrátumok különösen előnyösek kommunikációs, radar-, űrhajózási, nagysebességű vasúti és új energetikai járművekben. Kivételesen alkalmasak sugárzásérzékelő szenzorokhoz ezekben a szektorokban, különösen nagy teljesítményű, magas hőmérsékletű, és nagyfrekvenciás eszközök, ahol a Ga2O3 jelentős előnyöket mutat a SiC-vel és a GaN-nal szemben.