Ga2O3 epitaxia

Lépjen be a félvezetők kiválóságának új korszakába a Semicorex Ga2O3 Epitaxy-val, egy úttörő megoldással, amely újra meghatározza a teljesítmény és a hatékonyság határait. A pontossággal és innovációval megtervezett Ga2O3 epitaxy platformot kínál a következő generációs eszközök számára, páratlan teljesítményt ígérve a különböző alkalmazásokban.

Kérdés küldése

termékleírás

A Ga2O3 epitaxia, amely a negyedik generációs szélessávú félvezetőből származik, a teljesítménystabilitás és megbízhatóság új szintjét vezeti be extrém környezetben. Széles sávszélessége miatt a magas hőmérsékletű és nagy sugárzású alkalmazások egyik legmegfelelőbb anyaga.

Nagy áttörési térerő: Használja ki a Ga2O3 kivételes áttörési térerősségét és megemelkedett Baliga-értékeit, így páratlan anyag a nagyfeszültségű és nagy teljesítményű alkalmazásokhoz. A Ga2O3 epitaxia fokozott megbízhatóságot és minimális teljesítményveszteséget biztosít.

A Ga2O3 epitaxia kiemelkedő energiahatékonyságával tűnik ki. A Baliga értéke négyszerese a GaN-nek és tízszerese a SiC-énak, így kiváló vezetési tulajdonságokat mutat. A Ga2O3 epitaxiás eszközök teljesítményvesztesége mindössze a SiC 1/7-e, a szilícium alapú eszközök lenyűgöző 1/49-e.

A Ga2O3 epitaxia alacsonyabb keménysége leegyszerűsíti a gyártási folyamatot, ami csökkenti a feldolgozási költségeket. Ez az előny a Ga2O3 epitaxiát költséghatékony és skálázható megoldásként pozicionálja számos alkalmazáshoz.