ICP szilícium-szén bevonatú grafit

A Semicorex ICP szilícium-szén bevonatú grafitja ideális választás az igényes ostyakezeléshez és vékonyréteg-leválasztási eljárásokhoz. Termékünk kiváló hő- és korrózióállósággal, egyenletes termikus egyenletességgel és optimális lamináris gázáramlási mintákkal büszkélkedhet.

Kérdés küldése

termékleírás

Az epitaxiális növekedési feldolgozáshoz használt ostyahordozóknak el kell viselniük a magas hőmérsékletet és a kemény vegyszeres tisztítást. A Semicorex ICP szilícium-karbon bevonatú grafit szuszceptorokat kifejezetten ezekhez az igényes epitaxiás berendezésekhez tervezték. Termékünket úgy tervezték, hogy ellenálljon a magas hőmérsékletnek és a kemény vegyszeres tisztításnak, így biztosítva a hosszú élettartamot és az optimális eredményt.
Az ICP szilícium-szén bevonatú grafitunkat úgy tervezték, hogy a legjobb lamináris gázáramlási mintát érje el, biztosítva a hőprofil egyenletességét. Ez segít megelőzni a szennyeződéseket vagy a szennyeződések diffúzióját, biztosítva a jó minőségű epitaxiális növekedést az ostya chipen.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni az ICP szilícium-szén bevonatú grafitunkról.

Az ICP szilícium-karbon bevonatú grafit paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300