SiC bevonatú ICP maratási hordozó

A vékonyréteg-leválasztási fázisokban, például epitaxiás vagy MOCVD-ben, vagy az ostyakezelési eljárásokban, például maratáshoz használt ostyahordozóknak ki kell állniuk a magas hőmérsékletet és a kemény vegyszeres tisztítást. A Semicorex nagy tisztaságú SiC bevonatú ICP maratási hordozója kiváló hőállóságot, egyenletes termikus egyenletességet biztosít az egyenletes epiréteg vastagság és ellenállás érdekében, valamint tartós vegyszerállóság. A finom SiC kristály bevonat tiszta, sima felületet biztosít, ami kritikus a kezeléshez, mivel az érintetlen ostyák a teljes területükön számos ponton érintkeznek a szuszceptorral.

SiC bevonatú ICP maratási hordozónkat úgy tervezték, hogy a legjobb lamináris gázáramlási mintát érje el, biztosítva a hőprofil egyenletességét. Ez segít megelőzni a szennyeződéseket vagy a szennyeződések diffúzióját, és biztosítja a jó minőségű epitaxiális növekedést az ostya chipen.

Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni a SiC bevonatú ICP maratási hordozónkról.

A SiC bevonatú ICP maratási hordozó paraméterei

A nagy tisztaságú SiC bevonatú ICP maratási hordozó jellemzői

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen

Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig

Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.

Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.

Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése

- Garantálja a termikus profil egyenletességét

- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját