LPE Félhold reakciókamra

Az epitaxiális folyamat az LPE félhold reakciókamrában megy végbe, ahol a szubsztrátumok extrém körülményeknek vannak kitéve, beleértve a magas hőmérsékletet és a korrozív gázokat. A reakciókamra komponenseinek hosszú élettartamának és teljesítményének biztosítása érdekében vegyi gőzleválasztásos (CVD) SiC bevonatokat alkalmaznak:

Részletes pályázatok:

Szuszceptorok és ostyahordozók:

Elsődleges szerepkör:

A szuszceptorok és az ostyahordozók kritikus komponensek, amelyek biztonságosan tartják a szubsztrátumokat az epitaxiális növekedési folyamat során az LPE Halfmoon Reaction Chamber-ben. Kulcsszerepet játszanak annak biztosításában, hogy a szubsztrátumok egyenletesen melegedjenek és ki legyenek téve a reaktív gázoknak.

A CVD SiC bevonat előnyei:

Hővezetőképesség:

A SiC bevonat növeli a szuszceptor hővezető képességét, biztosítva a hő egyenletes eloszlását az ostya felületén. Ez az egységesség elengedhetetlen a következetes epitaxiális növekedés eléréséhez.

Korrózióállóság:

A SiC bevonat megvédi a szuszceptort az olyan korrozív gázoktól, mint a hidrogén és a klórozott vegyületek, amelyeket a CVD-eljárásban használnak. Ez a védelem meghosszabbítja a szuszceptor élettartamát és megőrzi az epitaxiális folyamat integritását az LPE félhold reakciókamrában.

A reakciókamra falai:

Elsődleges szerepkör:

A reakciókamra falai tartalmazzák a reaktív környezetet, és magas hőmérsékletnek és korrozív gázoknak vannak kitéve az epitaxiális növekedési folyamat során az LPE Halfmoon Reaction Kamrában.

A CVD SiC bevonat előnyei:

Tartósság:

Az LPE Halfmoon Reaction Chamber SiC bevonata jelentősen megnöveli a kamrafalak tartósságát, megvédi azokat a korróziótól és a fizikai kopástól. Ez a tartósság csökkenti a karbantartás és csere gyakoriságát, ezáltal csökkenti az üzemeltetési költségeket.

Szennyeződés megelőzés:

A kamra falainak épségének megőrzésével a SiC bevonat minimálisra csökkenti a romló anyagokból származó szennyeződés kockázatát, így tiszta feldolgozási környezetet biztosít.

Főbb előnyök:

Javított hozam:

A lapkák szerkezeti integritásának megőrzésével az LPE Halfmoon Reaction Chamber nagyobb hozamot támogat, így a félvezetőgyártási folyamat hatékonyabb és költséghatékonyabb.

Szerkezeti robusztusság:

Az LPE Halfmoon Reaction Chamber SiC bevonata jelentősen megnöveli a grafit szubsztrátum mechanikai szilárdságát, így az ostyahordozók robusztusabbak és képesek ellenállni az ismételt hőciklusok mechanikai igénybevételének.

Hosszú élet:

A megnövekedett mechanikai szilárdság hozzájárul az LPE Halfmoon Reaction Chamber általános élettartamához, csökkentve a gyakori cserék szükségességét és tovább csökkentve az üzemeltetési költségeket.

Javított felületminőség:

A SiC bevonat simább felületet eredményez a csupasz grafithoz képest. Ez a sima felület minimálisra csökkenti a részecskeképződést, ami elengedhetetlen a tiszta feldolgozási környezet fenntartásához.

Szennyeződés csökkentése:

A simább felület csökkenti az ostya szennyeződésének kockázatát, biztosítja a félvezető rétegek tisztaságát és javítja a végső eszközök általános minőségét.

Tiszta feldolgozási környezet:

A Semicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber lényegesen kevesebb részecskét termel, mint a bevonatlan grafit, ami elengedhetetlen a szennyeződésmentes környezet fenntartásához a félvezetőgyártásban.

Magasabb hozam:

A kisebb részecskeszennyeződés kevesebb hibát és nagyobb hozamot eredményez, ami kritikus tényező a rendkívül versenyképes félvezetőiparban.