GaN vs SiC

Jelenleg több anyag is vizsgálat alatt áll, köztükszilícium-karbidkiemelkedik az egyik legígéretesebb. HasonlóGaN, a szilíciumhoz képest magasabb üzemi feszültséggel, nagyobb áttörési feszültséggel és kiváló vezetőképességgel büszkélkedhet. Ráadásul a magas hővezető képességének köszönhetőenszilícium-karbidszélsőséges hőmérsékletű környezetben is használható. Végül pedig lényegesen kisebb méretű, mégis nagyobb teljesítményt képes kezelni.

HabárSicalkalmas anyag teljesítményerősítőkhöz, nem alkalmas nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz. Másrészről,GaNez az előnyben részesített anyag kis teljesítményerősítők építéséhez. A mérnökök azonban kihívással szembesültek a kombinálás soránGaNP-típusú szilícium MOS tranzisztorokkal, mivel korlátozta a frekvenciáját és hatékonyságátGaN. Bár ez a kombináció kiegészítő képességeket kínált, nem volt ideális megoldás a problémára.

A technológia fejlődésével a kutatók végül találhatnak P-típusú GaN eszközöket vagy kiegészítő eszközöket, amelyek különböző technológiákat használnak, amelyek kombinálhatókGaN. Addig a napig azonbanGaNtovábbra is korunk technológiája korlátozza.

Az előrehaladásGaNa technológia együttműködést igényel az anyagtudomány, az elektrotechnika és a fizika között. Ez az interdiszciplináris megközelítés szükséges a jelenlegi korlátok leküzdéséhezGaNtechnológia. Ha sikerül áttörést elérni a P-típusú GaN fejlesztésében, vagy megfelelő kiegészítő anyagokat találunk, az nemcsak a GaN alapú eszközök teljesítményét javítja, hanem hozzájárul a félvezető technológia szélesebb területéhez is. Ez a jövőben hatékonyabb, kompaktabb és megbízhatóbb elektronikus rendszerek előtt nyithatja meg az utat.