Porózus grafit szilícium-karbid kristálynövekedéshez

Jelenleg a legtöbb SiC szubsztrát gyártó új tégelyes termikus téreljárást alkalmaz porózus grafithengerekkel: a grafittégely fala és a porózus grafithenger közé nagy tisztaságú SiC szemcsés nyersanyagokat helyeznek el, miközben a teljes tégelyt mélyítik és növelik a tégely átmérőjét. Előnye, hogy miközben a töltési mennyiség nő, az alapanyagok párolgási területe is megnő. Az új eljárás megoldja a kristályhibák problémáját, amelyet a nyersanyag felső részének átkristályosodása okoz a kiindulási anyag felszínén történő növekedés előrehaladtával, befolyásolva a szublimációs anyagáramlást. Az új eljárás emellett csökkenti a hőmérséklet-eloszlás érzékenységét a nyersanyag területén a kristálynövekedésre, javítja és stabilizálja az anyagátadás hatékonyságát, csökkenti a szénzárványok hatását a növekedés későbbi szakaszaiban, és tovább javítja a SiC kristályok minőségét. Az új eljárás mag nélküli kristályhordozó rögzítési módszert is alkalmaz, amely nem tapad a magkristályhoz, így szabad hőtágulást tesz lehetővé és elősegíti a feszültségmentességet. Ez az új eljárás optimalizálja a hőteret és nagymértékben javítja az átmérőtágulás hatékonyságát.

Az új eljárással nyert SiC egykristályok minősége és hozama erősen függ a tégelyes grafit és a porózus grafit fizikai tulajdonságaitól. A nagy teljesítményű porózus grafit iránti sürgető kereslet nemcsak rendkívül drágává teszi a porózus grafitot, hanem komoly hiányt is okoz a piacon.

Alapvető teljesítménykövetelményekporózus grafit

(1) Megfelelő pórusméret-eloszlás;

(2) elég nagy porozitás;

(3) A feldolgozási és felhasználási követelményeknek megfelelő mechanikai szilárdság.

A Semicorex kiváló minőséget kínálporózus grafitalkatrészek. Ha kérdése van, vagy további részletekre van szüksége, kérjük, ne habozzon kapcsolatba lépni velünk.

Telefonszám: +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com