A félvezetőiparban az epitaxiális rétegek kulcsfontosságú szerepet játszanak azáltal, hogy speciális egykristályos vékony filmeket képeznek egy ostyahordozón, összefoglaló néven epitaxiális lapkákként. A szilícium-karbid (SiC) epitaxiális rétegek vezetőképes SiC szubsztrátumokon különösen homogén Si......
Olvass továbbAz epitaxiális növekedés egy kristálytanilag jól rendezett monokristályos réteg növesztésének folyamatát jelenti egy szubsztrátumon. Általánosságban elmondható, hogy az epitaxiális növekedés magában foglalja egy kristályréteg tenyésztését egy kristályos szubsztrátumon, ahol a megnövekedett réteg ugy......
Olvass továbbAhogy az elektromos járművek globális elfogadottsága fokozatosan növekszik, a szilícium-karbid (SiC) új növekedési lehetőségek elé néz az elkövetkező évtizedben. Várhatóan az erő-félvezetők gyártói és az autóipar üzemeltetői aktívabban vesznek részt az ágazat értékláncának felépítésében.
Olvass továbbSzélessávú (WBG) félvezető anyagként a SiC nagyobb energiakülönbsége jobb hő- és elektronikai tulajdonságokat biztosít a hagyományos Si-hez képest. Ez a funkció lehetővé teszi, hogy a tápegységek magasabb hőmérsékleten, frekvencián és feszültségen működjenek.
Olvass tovább