- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
AlN kristálynövekedés PVT módszerrel
A széles sávszélességű félvezető anyagok harmadik generációja, köztük a gallium-nitrid (GaN), a szilícium-karbid (SiC) és az alumínium-nitrid (AlN), kiváló elektromos, termikus és akuszto-optikai tulajdonságokkal rendelkezik. Ezek az anyagok kezelik a félvezető anyagok első és második generációjának......
Olvass tovább
SiGe a chipgyártásban: Professzionális hírjelentés
A SiGe (Szilícium germánium) a modern félvezető-technológia területén a nagy teljesítmény és az alacsony energiafogyasztás iránti igények kielégítése érdekében a félvezető chipek gyártásában a választott kompozit anyaggá vált egyedülálló fizikai és elektromos tulajdonságai miatt.
Olvass tovább
A félvezető egysége: Angstrom
A hosszúság mértékegységeként az Angstrom (Å) mindenütt jelen van az integrált áramkörök gyártásában. Az anyagvastagság pontos szabályozásától a miniatürizálásig és az eszköz méretének optimalizálásáig az Angstrom skála megértése és alkalmazása a legfontosabb a félvezető technológia folyamatos fejle......
Olvass tovább